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锗在吸收边附近的压力-折射率系数史文俊易迎彦黎敏-物理学报
锗在吸收边附近的压力-折射率系数
史文俊 易迎彦 黎敏
PressuredependenceofrefractiveindexofGenearthe absorption edge
ShiWen-Jun YiYing-Yan LiMin
引用信息Citation: ActaPhysicaSinica, ,167801(2016) DOI: 10.7498/aps.65.167801
在线阅读Viewonline: /10.7498/aps.65.167801
当期内容Viewtableofcontents: /CN/Y2016/V65/I16
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物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 65, No. 16 (2016) 167801
锗在吸收边附近的压力-折射率系数
史文俊 易迎彦 黎敏
(武汉理工大学物理系, 武汉 430070)
( 2016 年5 月5 日收到; 2016 年6 月1 日收到修改稿)
目前半导体锗在吸收边附近(1550 nm) 的压力-折射率系数在实验和理论上并未研究清楚. 本文通过测
量在不同压力下镀在光纤端面的高结晶度锗薄膜的反射率, 来计算得到锗在吸收边附近的压力-折射率系数.
本文的实验结果显示, 锗在吸收边附近出现反常色散现象, 即折射率随能量变化呈正相关, 并且其压力-折射
率系数出现反常, 为正值, 这是由于多晶结构中的激子吸收所引起. 通过引入描述激子色散的临界点模型, 得
到锗在吸收边附近的反常色散范围和压力-折射率系数呈正值的范围. 本文的结果将有助于基于锗薄膜的通
信C 波段光学器件的研究.
关键词: 半导体, 锗, 折射率, 压力
PACS: 78.20.–e, 78.20.Bh, 78.20.Ci, 78.30.Am DOI: 10.7498/aps.65.167801
量精度非常高. 然而, 椭偏仪设备非常昂贵和笨重,
1 引 言
文档评论（0）