射频溅射制备的BST薄膜介电击穿研究.PDFVIP

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 $$ $ ##! $ ， ， ， ILG ,$$ AL ,$ Q9R ##! （ ） ###-.’#6##!6$$ #$ 6$.-#$ EB+E 40O*PBE *PAPBE !##! B@7D , 4@RJ , *LS , $$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$ 射频溅射制备的!# 薄膜介 电击穿研究! 卢 肖 吴传贵 张万里 李言荣 （电子科技大学微电子与固体电子学院，成都 !##$% ） （ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿） ##$ ’ ( ##$ # 采用射频溅射制备 薄膜，研究了薄膜的介电击穿特性 实验表明，在电压增大到传统击穿电压（电流密度 )*+ , 出现瞬时增大时的电压）之前，薄膜性能已被破坏，发现在传统击穿状态之前存在另一个新状态———初始击穿状 态 通过测试各状态的 （电流密度 电压）、 （电流密度 温度）特性分析其导电机理，建立了薄膜结构、漏电性 , !- - !- # - 能随电场强度增大而变化的模型, 最后提出了确定实际意义上击穿电压的方法, 关键词： 薄膜，介电击穿，漏电流 )*+ ： ， $% (.%#/ (.!#0 3 引 言 3 实 验 采用射频溅射，在 456+76 *78 6 *7 基片上制备 由于)*+ 薄膜具有高介电系数、低漏电流密 （ ）薄膜，其工艺参数为溅射温度 )9 *; +78 )*+ 度、居里温度可调以及优异的热释电性能等，被广泛 # 3: # 3 . ，溅射气压 ，氧氩比 ，溅射功率为 运用于电子信息领域，例如，动态随机存储器、高介 %## 49 = % 在 $ 纯氧下对 薄膜原位退火， ## , # 3$ ? # 49 )*+ 电常数电容器、介质移项器、非制冷红外探测器等, 退火温度为 ，退火时间为 采用直流磁控溅 (## @ , 而)*+ 薄膜的击穿直接关系到器件的可靠性和工