磷化铟复合沟道高电子迁移率晶体管击穿特性研究.PDFVIP

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 =# / $$/ / ， ， ， ELM :=# KL :/ N8MO $$/ （ ） !$$$G2$A$$/A=# $/ A%!!/G$= 3-3 )*J5’3 5’K’3 !$$/ PQ( : )PO4 : 5LC : 磷化铟复合沟道高电子迁移率晶体管击穿特性研究! ）） ） ） ） ） ） ） ） ! ! 李 潇 张海英 尹军舰 刘 亮 徐静波 黎 明 叶甜春 龚 敏 !）（四川大学物理科学与技术学院，成都 #!$$#% ） ）（中国科学院微电子研究所，北京 !$$$ ） （ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿） $$# !! !% $$# !! % 用密度梯度量子模型定量研究了磷化铟（ ）复合沟道高电子迁移率晶体管（ ）的击穿特性，考虑了复合 ’() *+,- 沟道内碰撞电离以及沟道量子效应，重点研究了器件击穿电压随’( 01 34 沟道厚度的变化关系，提出了提高击 $ ./ $ .2 穿电压的方法，采用商用器件模拟软件 模拟了器件的开态击穿电压，对比了实验和模拟的结果 研究表 56(718984 : 明：适当减小’( 01 34 沟道层的厚度可以在保持器件饱和电流基本不变的前提下大幅度提高开态击穿电压，这 $ ./ $ .2 对于提高’() 基*+,- 的功率性能具有重要意义: 关键词：磷化铟，高电子迁移率晶体管，密度梯度模型，击穿 ： ， ， !## /;$+ /2#$ #!;= 了低电场时’(0134 的高电子迁移率特性及高电场 !. 引 言 时’() 的高电离阈值能量和高饱和速率，既提高了 的漏极 源极击穿电压，也保证了其优良的毫 *+,- G 随着信息技术向数字化，网络化方向的迅速发 米波频率特性: 展，对超大容量信息传输，超快实时信息处理和超高 对于 基复合沟道 的击穿特性国外虽