背栅效应对SOI横向高压器件击穿特性的影响.PDFVIP

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 % F ’$$F F ， ， ， DP? @% [P @F J?W ’$$F （ ） #$$$6E’L$\’$$F\% $F \ELL$6$ ]MZ] U^_(*M] (*[*M] !’$$F MTQ @ UTWS @ (P4 @ 背栅效应对!# 横向高压器件击穿特性的影响! ! 乔 明 张 波 李肇基 方 健 周贤达 （电子科技大学微电子与固体电子学院，成都 #$$% ） （ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿） ’$$ ## #’ ’$$ #’ # 提出一种 基背栅体内场降低 （ ）耐压技术 其机理是背栅电压诱生界 ()* +, -.+/01 234567389 :9;49; +/05 =9?; @ 面电荷，调制有源区电场分布，降低体内漏端电场，提高体内源端电场，从而突破习用结构的纵向耐压限制，提高器 件的击穿电压 借助二维数值仿真，分析背栅效应对厚膜高压 （ ）击穿特性的影响，在背栅电压 @ ()* 0AB)( C $$ D 为 时，实现器件击穿电压 ，较习用结构提高 该技术的提出，为 以上级 基高压功率器 EE$ D #$’$ D F GHEI @ $$ D ()* 件和高压集成电路的实现提供了一种新的设计思路@ 关键词： ，背栅，体内场降低， ()* 0AB)( ： ， $% #’$J FE$K #G 引 言 ’ G +, -.+/01 原理 （ ）基横向高压器件的击穿 图 为传统的厚膜 基高压双 ()* S?4PQ6PQ6QS?38P: # ()* -.(/-1 （ ） 结构剖面图 当器件 电压主要受到埋氧层厚度的限制，除非使用较厚的 :9;49; (/-=349 =9?; 0AB)( @ ［— ］ 处于反向阻断状态并且漏端偏压 逐渐增大时， 埋氧层，否则很难实现超过$$ D 的击穿电压# E @ !A 若背栅电位 与 ， 同为最低电位 ，在漂