掺硅水平砷化镓单晶的产业化.pdf

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. ! : 掺硅水平砷化林单晶的产业化 ! 蛋 怪 武壮文 (工,北京有色金属研究总院,北京 100088;2.国瑞电子材料有限贵任公司,河北廊坊 065000 摘 要:本丈阐述了光电干材杆接硅水平砷化稼单 原国家半导体工程材料研究中心化合物半导体研究 晶的产业化过杜,并就设备、工艺上的一些问题进 室的基础上组建了国瑞电子材料有限责任公司。担 行了讨论.获并了一些有益的结果.本文提出了评 负起开发生产以H日-GeA和‘GaP为主的化合物半导 价产业化结果的四个f化指标,供大家参考. 体材料的重任。2000年6月30日.在河北廊坊举行 关锐词:HB-GaAs;产业化,工艺技术 了HB-GaAs生产车间全线开通仪式。水平炉达到了 26台。月产单晶100-140kg.合计片子 ,000-8000 1 引 言 片。实现了HB-GOM单晶的产业化。 本文将就工程的建设和产业化的过程及产业化 近几年来,光电子方面的应用发展迅速。交通 的工艺研究和结果等进行阐述、分析和讨论。供大 1 苦 信号灯、交通指示灯、显示阵列等都由热光源向冷 家参考。 ‘ 胜 , . 光源转移。以LED为代表的发光器件、显示器件发 . 砂 . 展迅速。因此,极大地刺激了光电子材料的开发生 2工程建设和设备的安装 幸

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