掺Si对MOCVD生长的GaN单晶膜的黄带发射及生长速率的影响.pdf

第6卷 第4期 功能材料与器件学报 VD.-I.6N20.0.04 200〕年 12月 JOURNALOFFUNCTIONALMATERIALSANDDEVICFS 文章编号:1007一4252(2000)04一0385一03 掺Si对MOM 生长的GaN单晶膜的 黄带发射及生长速率的影响 李述体，莫春兰 ，李鹏，王立，熊传兵，彭学新，江风益 (南昌大学材料科学研究所 ，南a330047) 摘要:对MOCVD生长GaN:Si薄膜进行了研究，研究表明随SiH4/TMGa流t比增 大，GaN:Si单晶膜的电子浓度增大，迁移率下降,X射线双晶衍射峰半高宽增加，同 时带边发射强度得到了大大的提高，并报导了随SiH4/TMGa流量比增大，GaN:Si的 生长速率降低的现象。研究结果还表明，预反应对GaN:Si单晶膜黄带发射影响很 大，预反应的减小可以使黄带受到抑制。 关键词:MOCVD;GaN:Si;光致发光 中图分类号:0484.5 文献标识码:.a 1 引言 制备GaN基光电器件需要高质量的n型GaN，以有效地提供发光所需的注人电子。目 前，采用MOM 技术已获得电子浓度可控制在1x10--4x10cm-3的GaN:Si单晶膜一’4。 但还有许多问题需要研究，如掺硅对GaN膜生长速率的影响还没有报导。另外，在许多报导 中，黄带强度/带边发射强度比((11/12)随Si掺人量的变化关系也不一致1-〔41.Li。等报导了 GaN:Si的黄带发射强度比带边发射弱;且随掺Si量增加J,/I,降低[[3.11。然而，Nakamura等 报导GaN:Si单晶膜的黄带强度通常比带边发射强度大，只在其电子载流子增至2x10cm一， 时，两者强度才基本相等’【〕。本工作主要研究了掺Si对GaN:Si膜光、电、结晶性能及生长速 率的影响。 2 实验方法 采用本所研制的常压MOCVD系统生长了GaN:Si单晶膜。实验中使用了两种不同的反 应管，分别记为反应管I和反应管II。在反应管I中，反应气源在到达衬底前30mm处汇合; 反应管II除反应气源汇合处距衬底为200mm外，其它基本与反应管I相同。这意味着反应管 II中的预反应比反应管I更大。生长所选用的是(0001)面的蓝宝石衬底。TMGa和NH，分 收稿日期;2000-08-21;修订日期:2000-09-30 基金项目:国家自然科学基金资助项目;国家.863”新材料领域(715-001一0012) 作者简介:李述体(1975一)，男，博士生. 功能材料与器件学报 6卷 别用作Ca源和N源，掺杂剂是用K:稀释了的siH;。生长时先在502℃生长厚度约51nm的 GaN缓冲层，随后升温到1060℃并恒温6mni，之后在1060℃生长GaN:51单晶膜。生长所用的 TMGa流量恒定为40林moFmi。，NH。为IFmni。用PL谱技术、范德堡霍尔方法、X射线双晶衍 射技术和金相显微镜分别测量了GNa:51膜的光、电、结构性能及其表面形貌和厚度。两种反 应管生长的CaN:Sj的电学特性，结构性能及生长速率随掺硅量的变化趋势相似。除特别指出 外，本文采集的都是反应管1中生长的GNa:51单晶膜的数据。 3 结果与讨论 本实验生长的未故意掺杂的CaN单晶膜的自由电子浓度为lxol，，。m一3左右，迁移率达 300om，八 ·。。随着51氏/TMG。流量比的增大，CNa:51单晶膜的电子载流子浓度增大，迁移率 随着SIH拼TMGa流量比的增大而下降，与文献报导一致。当siH;/TMGa流量比增至1八。’ 时，Ga入:51单晶膜电子浓度达4、1o91。rn一3，其电子迁移率为210cmZ/v·5，这一结果与文献 报导结果相近或好于有关文献报导的结果、‘礴一。 图2显示了SIH4/仆坚伪流量比对Ca入:51单晶膜的X射线双晶衍射峰的半高宽(FWH几灼 和生长速率的影响，可看出随掺硅量增大，acN:5;单晶膜的结晶质量下降，与文献报道的一 致1’人。从图1还可看出51的掺人对GNa膜的生长速率影响很大。在其它生长条件不变叫， siH;/