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VoL38
第38卷增刊 哈尔滨工业大学学报 Sup．
200 2006
6年7月 OFHARBININSTITUTEOFTECHNOLOGYJuly
JOURNAL
等离子体基离子注入电压对碳薄膜结构及
摩擦学性能的影响
廖家轩，，田 忠，许江，杨海光，金龙
(电子科技大学电子科学技术研究院，四川成都610054，E—mail：jxliao@uestc．edu．ca)
摘要：用等离子体基离子注入(PBII)技术在单晶硅表面注入C2巩制备碳薄膜．研究了注入电压对碳薄膜结构
及摩擦学性能的影响．xPs表明，在3—5kV范围内存在一个注入电压，对应成分及结构渐变的过渡层出现，该过渡
层将碳薄膜与基体自然连接．低于该电压时没有过渡层，碳膜会自动脱落；高于该电压时，随注入电压的增加过渡
层增厚、碳膜减薄．rRmnan光谱表明，在5—10kV范围内存在一个注入电压，对应类金刚石(DIE)膜出现。低于该值
时对应类聚合物碳膜，高于该值时对应DLC膜．30kV左右对应最高Sp／Sp2比值．原子力显微镜表明，DIE膜光滑
致密，表面形貌有所改善，粗糙度随注入电压的增加而减小．另一方面，DIE膜使摩擦学性能大幅度提高，特别在低
载荷(如o．1N)下其耐磨寿命呈数量级增加，体积磨损率为零．随注入电压的增加，摩擦系数和体积磨损率都逐渐
减小，耐磨寿命先增加后减小．摩擦学性能与结构之间的关系及摩擦学机理也进行了讨论．
关键词：注入电压；碳薄膜；DLC；PBII；结构；摩擦学性能
中图分类号：TGl42．2 文献标识码：A 文章编号：0367—6234(2006)增刊一0091—04
Theinfluenceof onthestructureand
implantingvoltage tribological
thinfilms
ofcarbon PBII
properties preparedby
LIAO
Jia—xuan，TIANZhong，XUJiang，YANGHai-guang，JINLong
of
InstituteofElectmnieScienceand ElectronicScienceand of
(Research Technology，University TechnologyChina，
Chengdu610054，China，E-mail：jxliao@uestc．edu．cn)
carbonfilmshavebeen onSiwafer ion
Abstract：Nanometer prepared byplasma—based
with undertheconditionsof and0．$Pa．XPS
3-50kV，30min，40
C2H2 Ixs，80Hz compositiondepthprofile
showsth
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