GaAsAlGaAs半导体量子级联激光器的设计Design of GaAsAlGaAs semiconductor quantum cascade laser.pdfVIP

北京交通大学 硕士学位论文 GaAs/AlGaAs半导体量子级联激光器的设计 姓名：崔雍 申请学位级别：硕士 专业：凝聚态物理 指导教师：吕燕伍 201106 中文摘要 摘要：量子级联激光器(QcLs)是量子裁剪技术及量子设计应用在中远红外波段 激光发射器设计上的优秀成果。对量子级联激光器的研究设计，具有重要的理论 意义和实用价值，无论在污染监控、激光光谱学，还是在医学，通讯，光检测等 领域都有着重要的应用前景及价值。 自出现以来，量子级联激光器便一直通过多样的设计方式在 GaAS／AlGaAs异质结构上也成功实现了量子级联激光器的设计并呈现出更多的优 点。 本论文对量子级联激光器的发展历史及发展现状做了简要概述，主要研究了 ＆溘s／AlGa舡量子级联激光器设计，并取得以下成果。 1．论文介绍了对薛定谔方程的数值解法，利用matlab语言对其进行编程实现 对薛定谔方程的数值解，另外，我们推导了半导体量子级联激光器激射跃迁发光 的速率方程，得到了相应的粒子数反转条件。 2．介绍了基于不同材料体系下半导体量子级联激光器的不同特点，并给出了基 于彳厶，G％，彳s材料体系有源区三阱结构激射波长为18．3∥聊的半导体量子级联激 光器的设计，包括有源区单元厚度、垒高、量子阱宽度、垒宽度以及偏压的选择 等。 3．计算出了基于4fn，G％，加材料体系有源区三阱结构激射波长为18．3∥聊的半 导体量子级联激光器有源区的带内弛豫时间及带间跃迁弛豫时间，并验证了量子 级联激光器粒子数反转条件的实现。 关键词：GaAs／AlGaAs量子级联激光器；量子级联激光器子带设计；有源区设计； 带内弛豫时间；带间跃迁弛豫时间；粒子束反转条件 分类号：0469 ABSTRACT ABSTRACT．7rhe anexcellent ofhow laSer(QCL)isex锄ple ql姗n珊caScade in canbeuSedt0conce“eemcientdeVicesaIldeminersme quannllIlengineering mid．细卜inf陆ed．nleandthe have theoretical锄d QCLs stlldy desi印of iIllportaIlt whjcharenot t0 l船er value oIdy印plicablepollutionmonito面唱and practical to spec缸Dscopy，but甜somedical，comluIlication锄dphotodetectoL meirfirst havebe肌deVisedtoworkin of Since demo删ioIl，QCLs a埘de啪ge di筇：rent inⅡlesame waVelen垂hs觚dteIIlperatures，byexploi佃19 designs，butal、Ⅳays ma：terial