六方晶相三氧化钨纳米线的忆阻性能研究Study on the resistance of the six party have crystal tungsten trioxide nanowires.pdfVIP

分类号 0469 密级 学校代码 10542 学号 2008ll020033 六方晶相三氧化钨纳米线的忆阻性能研究 ontheMemristiveof Research Properties Nanowires W03 Hexagonal 湖南师范大学学位评定委员会办公室 二。一一年五月 摘 要 存储设备在半导体市场中扮演着很重要角色。随着移动消费电 子产品的广泛使用，人们对非挥发性及大容量存储设备的需求越来 越迫切。目前，Flash在存储器区域中占绝对优势，占据80％以上 的市场份额。但是随着28nm节点的到来，闪存遭遇越来越多的瓶 颈，例如漏电流严重、操作速度低、高操作电压等。近来基于金属 ／氧化物／金属结构的阻变存储器(常被称“RRAM”或 “Memristor)，由于其在读写速度、读写次数、数据保持时间、 单元面积、多值实现、工艺与硅工艺兼容等诸多方面都具有极大的 优越性，而成为未来非挥发存储设备市场主流产品最有力的竞争者 之一。三氧化钨作为一种较典型的阻变存储器材料，目前在阻变方 面的研究还处于开始阶段。 本论文通过简单水热合成方法，成功合成了横向尺度可控、单分 散性好的W0。一维纳米结构。利用传统的光刻工艺，构筑了基于单根 W0。纳米线的“金属／半导体／金属结构的纳米器件。研究了器件基 于欧姆接触的电性能，我们发现器件在室温下和高温下的电性能有 很大不同。在室温下伏安曲线是线性的，且在正负方向下是对称的； 但随着温度的升高，曲线会出现明显的回滞和不对称现象。为了研 究器件出现阻变现象的机理及其在忆阻器方面潜在的应用，我们研 究了电压扫描速率，紫外光照，以及偏压幅度对器件电性能的影响。 我们发现WO。纳米线这种忆阻现象可能是由于+2价的氧空位在偏压 l 电场下漂移造成的。在我们的实验基础上，我们还构想了基于单根 WOs纳米线的两端随机存储器(RRAM)的模型，它能够利用～个较大 的偏压执行“写”的操作，而用一个较小的偏压来完成“读，，的操 作。此外，我们还研究了器件基于肖特基接触的电输运性能，我们发 现退火、温度以及紫外光照都对器件肖特基接触的改善有很大影响。 关键词：三氧化钨纳米线；阻变存储器；氧空位；电输运性能；忆阻 性能。 II ABSTRACT market．And semiconductor a rolein Memories playimportant electronics of consumer products， the portable withpopulation formoreand aredemanded non-volatile high—capacity memory in area，