MOCVD方法生长ZnO薄膜的XPS分析研究.pdf

下载文档 降价啦

65
0
约1.07万字
约 4页
2018-01-11 发布于广东
举报
版权申诉
保障服务

MOCVD方法生长ZnO薄膜的XPS分析研究.pdf

1、本文档共4页，可阅读全部内容。
2、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。
3、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。

第十五届全国化古物半导体．撤波置I件和光电器件掌术会议广州’08 P058 MOCVD方法生长ZnO薄膜的XPS分析马艳1’2，张源涛2，张宝林2，杜国同1’2 16024) (‘大连理工人学物理与光电工程学院大连1 (2集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学电了科学与工程学院长春130012) 摘要：在不同的温度下利用MOCVD方法牛长了ZnO薄膜，并在较高温度F进行了NH3掺杂。采用x射线光电子能谱(xPS) 技术分析了薄膜的性质，结果表明：生长温度和N掺杂会影响薄膜的表面吸附、O缺陷、C，H杂质、元素价态、化学键的断裂及晶粒尺寸等性质。440℃低温下生长的薄膜，C、H杂质及。缺陷较多，晶粒尺寸较小。在530C生长的薄膜巾，可以见到由断裂两个键的zn离子所引起的2p，，2光电子峰。NH3掺杂以后，ZnO薄膜表面Ols峰移向低能侧，而在内部则移向高能侧。关键词： ZnO，MOCVD，XPS 中图分类号：TN304．2，TN305．3 ontheZnOthin X-rayphotoelectronspectroscopy(XPS)studies films MOCVD grownby Yan Dul，2 Mal一，YuantaoZhan92，BaolinZhan92，Guotong (1 116024，China) (2State on ofElectronicScienceand KeyLaboratory Optoelectronics，College University, Integrated Engineering，Jilin 130012，China) Changchun Abstract：ZnOthinfilmswere substratesatdifferent Chemical grownon(0001)sapphire temperaturesbyMetal—organicVapor at filmwas withNH3for ofthefilmswere Deposition(MOCVD)．And5300C，the doped comparison．Theproperties investigatedby onthesurface wasfoundthatthe and couldinfluence x-rayphotoelectronspectroscopyrxes)．It growthtemperatureNH3doping amountsofthe bond brokenchemicalbondandthecolumn adsorption，0deficiency，the carbon、hydrog