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1 相关的MOS管的理论知识 1.1 概述 场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。一般的晶体管是由两种极性的载流子,即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电,因此称为双极型晶体管,而FET仅是由多数载流子参与导电,它与双极型相反,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高（108～109Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。 1.2 分类 场效应管分结型、绝缘栅型两大类。结型场效应管（JFET）因有两个PN结而得名，绝缘栅型场效应管（JGFET）则因栅极与其它电极完全绝缘而得名。目前在绝缘栅型场效应管中，应用最为广泛的是MOS场效应管，简称MOS管（即金属-氧化物-半导体场效应管MOSFET）；此外还有PMOS、NMOS和VMOS功率场效应管，以及最近刚问世的πMOS场效应管、VMOS功率模块等。　　按沟道半导体材料的不同，结型和绝缘栅型各分沟道和P沟道两种。若按导电方式来划分，场效应管又可分成耗尽型与增强型。结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。　　场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管。而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。见下图。 1.1 作用 1、场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。2、场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。3、场效应管可以用作可变电阻。4、场效应管可以方便地用作恒流源。5、场效应管可以用作电子开关。 2 常用场效应管的脚位图 1 使用注意事项 对于P沟道mos管，VDS = -6 V, VGS = -4.5 V， ID=- 2.8 A 也就是栅极低于源极电压时开始导通。 相反对于N沟道mos管，VDS = 6 V, VGS = 4.5 V， ID=2.8 A 也就是栅极高于源极电压时开始导通。 容易出现的错误 大家注意到无论是N还是P mos管在D--- S之间都有二极管，此二极管起保护作用。 例1：用作为电池充电开关电路正确的接法如下 下图是一幅正确的充电管理原理图 此处的Q2如果接成如下方式 在上图中用的是P沟道mos管，由于内部二极管的存在使得电池充电时从VCC_OUT通过内部二极管漏向BAT，即使nchrg 关断充电管理ic，依然对电池进行充电，失去了控制。 例2：用作为开关电路正确的接法如下（低能通，高能断） 此处的Q2如果接成如下方式（错误的接法，低能通，高不能断） 上图中，无论CTRL电平是高是低，只要VIN有电压VOU就有电压，开关起不到关断作用，其原因就是忽视了内部二极管的存在。