MWECR+CVD制备立方氮化硼薄膜研究.pdfVIP

208 赧{}井 2006年增刊(37)卷 11一 MW—ECR CVD制备立方氮化硼薄膜‘ 部志华1，陈光华1，李志中1，邓金祥2，丁毅3 (1．北京工业大学材料学院，北京100022；2．北京工业大学应用数理学院，北京100022 3．兰州大学物理学院，甘肃兰州730000) 摘要： 采用微波电子回旋共振等离子体增强化学 百分含量为5％。实验前，衬底经过洗液浸泡之后，分 气相沉积(MW—ECRCVD)法，BF3一H2一N2一Ar为反 别采用甲苯、丙酮、乙醇和去离子水进行超声清洗。沉 应气体，制备立方氯化硼薄膜。应用傅立叶红外光谱 积过程，微波功率600W，磁场电流116．8A，辅助热丝 (FTlR)，定性地研究通入的H2和Nz流量对制备的 立方氮化硼薄膜结构的影响。发现在BR—H2一N5-Ar 气体系统中，H。对立方氯化硼薄膜结构的影响比较明 沉积前，衬底加热到200℃左右}沉积过程，衬底温度 CVD 显，而N：的影响没有那么明显。并对MW—ECR 在300～340℃之间。对所制备的薄膜样品进行了 制备立方氮化硼薄膜的结构特性进行了初步分析。 FTIR测量。 ” 关键词： 立方氮化硼；Mw—EcRcVD；BFs—H。一N：一 3实验结果与讨论 Ar：气体系统 中图分类号：0484．4 文献标识码：A 3．1 H2的作用 文章编号：100l一9731(2006}增刊一0208—03 H。对薄膜结构的影响如图1和2所示。 1 引 言 立方氮化硼(c—BN)作为一种宽带隙半导体，具有 优越的物理和化学特性，受到人们的关注[1]。它具有 低密度、超硬度、宽带隙(6eV)、高热导率、高电阻 率、高介电强度、高热稳定性和化学稳定性的优点。r ．rr日lgE∞o￡一 BN可以进行n型(Be)和p(s)型掺杂，获得半导体p-n 结的特性，应用于高温、高频和大功率的电子器件。它 图l不同H。流量对c-BN薄膜红外谱的影响 的电子亲和势为负值，很有利于场电子发射。c—BN还 1Effectsof ontheF’FIR ofcBNfilms Fig H2 spectra 有很好的透光性，适合作为一些光学组件的表面涂层， 特别是一些光学窗口的涂层，在电子、航天等高新技术 领域有着广阔的应用前景”·。 c-BN薄膜的制备方法很多。采用ECR—MP CVD，在BF。一H。一N。一Ar气体系统中增加He气，制备 出质量较高的c—BN薄膜o]。Mw—ECRCVD具有高 密度等离子体，可以在较低的衬底温度下形成大面积 CVD设备， 均匀的c-BN薄膜。本文应用Mw—ECR 反应气体为BF3一H：一Nz—Ar，研究c—BN薄膜的制备。 2Theeffectof on centerofc-BN Fig H2 peak 初步探讨了较低温度(200～300C左右)下，Ht流量和 N：流量对制备薄膜结构的影响。 红外光谱作为一种非破坏性的检测手段，常被用 于e-BN薄膜中立方相含量的定量分析。衬底上c—BN 2实验 和h—BN有着相近的红