PBLOCO隔离技术的研讨.pdfVIP

PBLOCOS隔离技术的4if究 孙海锋刘新宇海潮和 中国科学院微电子中心 北京 100029 摘要 本文介绍了一种实用的隔离技术:PolysiliconBufferedLOCOS(PBLA4)离。’。常规的LOCOS 相比，PBL只是在氧化层(Si仇)和氮化I:{Si,N,)之rnib口了一缓冲层一一多品石t层。多品硅缓冲层的 引入，有效地减小了鸟嘴(BBL).多次实验优化了各层的I.艺参数 同时，对n`-p结、p-n结的漏 电以及栅氧质耸进行了测姑和分析。结果表明，由于PBL {_艺的简单性以及、，州计 卜在深吓微米 技术时代，PBL将会是最有效的I1a离技术。 关键词 PBL 结漏电 鸟嘴 3入奥抹未 一 介绍 _ 实马众 随着硅器件尺寸的不断缩小 ，常规 的