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第29卷第7期 半 导 体 学 报 V01.29No.7
2008年7月 JOURNALOFSEMICONDUCTORS July,2008
MOSFETsina CMOSProcess’
High—Voltage 0.5pm
Zhao Yu
Wenbinl2”,LiLeilei2,and
Z0ngguan92
(1SchoolMicroelectronics,Xidian710071.China)
of University,Xi’an
(2No.58Institute·ChinaElectronic 214035。China)
TechnologyGroupCorporation·Wuxi
is interestin MOSFETdevicesthat be with
Abstract:There can
growing developinghigh··voltage integratedlow·-voltage
CMOS and circuits.Inthis n-and MOSFETsarefabricatedinacommercial
digitalanalog paper,high·voltageP·type 3.3/
5V0.5Ⅲnn-wellCMOS without n-welland currentand
process addinganyprocessstepsusing P-channelstops.High high-
transistorswithbreakdownbetween23and35VforthenMOStransistorswithdifferent
voltage voltages layoutparame-
tersand19Vforthe transistorsareachieved.Thisalso theinsulation and
pMOS paperpresents technology
resultsforthese devices.
high-voltage
MOSFET;0.5pmCMOS manufacture
Keywords:high·voltageMOSFET;low·voltage process;embeddedtechnology
PACC:7340L;7340Q
Document
CLCBumbet:TN405 code:A ArticleID:0253.4177(2008)07.1268.06
nMOSand in
pMOStransistors,resulting
1 Introduc
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