基于0.8μm BCD工艺的20W#215;2集成D类音频功放设计.pdfVIP

第29卷第5期 半导体学报 V01．29NO．5 2008年5月 JOURNALOFSEMICoNDUCToRS May，2008 X BCD工艺的20W2集成 基于0·8pm D类音频功放设计* 刘帘曦1’2’t 朱樟明1’2 杨银堂1’2 过伟1 史 斌1 (1西安电子科技大学微电子学院，西安710071) (2宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室，西安710071) 摘要：基于0．8“m BCD工艺完成了一种具有高转换效率的20W×2立体声集成音频功率放大器．该放大器可在18V电源 电压下以全桥输出的方式向80负载提供超过20W的功率，其转换效率可达85％以上．介绍了功率输出级、过流保护电路 以及高性能轨．轨比较器的设计，并基于横向双扩散MOSFET器件结构讨论了功率输出器件寄生效应对输出电压波形失 真的影响．最后给出了所设计的D类音频功率放大器的测试结果． 关键词：D类功率放大器；全桥；过流保护；轨-轨比较器 EEACC：2570 中图分类号：TN432 文献标识码：A 文章编号：0253-4177(2008)05—0988—05 D类功率放大器的电路原理结构如图1所示(一个 1 引言 通道)．其中y劬和y；。。是互补的全差分信号，为了提高 在多通道数字音源时代，采用D类功率放大器取 了H全桥的拓扑结构．为了防止在大输出功率情况下 代传统的线性(如AB类)功率放大器以简化前级线路，外围电路的非正常状态对芯片产生损坏，内部在输出级 提高功放效率从而降低对电源及散热的要求，已是一种 必然趋势．D类放大器的最大优势在于其极高的转换效 了避免H桥输出结构中从电源到地的“穿通”，必须给 率，众多资料表明D类放大器产生的热量仅约为线性 放大器的一半[1]．随着输出功率增加，D类放大器可迅对应开关有效关断之后再导通[3]．由于在死区时间内， 速达到约80％以上的转换效率，而线性放大器的转换 H桥上的功率器件均处于关断状态，因此，死区时间实 效率随输出功率增加的速度则相当缓慢．在平板电视等 际上给输出波形带来了极大的失真．死区时间的大小主 消费电子领域，D类放大器的效率约比传统的线性功 要由功率开关栅极的寄生电容决定，因此功率开关除了 放效率高了近4倍[1’引．因此，深入研究大功率输出的高 导通电阻要尽可能小以外，其栅极寄生电容也应当尽可 效D类功率放大器具有重要的理论价值和实用意义． 能小‘钉． 2．2适合D类功放的BCD工艺 2 电路的整体结构和工作原理 传统的高压CMOS器件虽然可以通过并联大数量 2．1 整体结构 D类功率放大器是一种脉宽调制(PWM)的开关功 放：首先将弱音频信号通过高增益前置放大器放大，放 大后的音频信号进而与内部三角波相比较进行采样，从 而将音频信号的幅度信息转化成控制信号脉冲宽度的 变化，然后将变换得到的PWM波经过整形、延时后用 电平转换电路(1evelshifter)再次放大，最后利用这个 放大的信号驱动功率MOSFET，输出的电流信号通过 LC低通滤波器还原成放大的音频信号．由于功率 MOSFET工作在开关状态，且导通电阻很小，因此，D 图1 D类功率放大器的电路结构框图 ofthecircuitofclass-D 类功放具有很高的转换效率旧]． Fig．1Diag