基于0.13μm CMOS工艺的无源RFID标签模拟前端电路设计.pdfVIP

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2018-01-21 发布于北京
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基于0.13μm CMOS工艺的无源RFID标签模拟前端电路设计.pdf

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第3l卷第1期固体电子学研究与进展 V01．31，No．1 2011年2月 RESEARCHPROGRESSOFSSE Feb．，2011 矛pppp、p、一q 冬射频与微波≮ 矗n，c、@一p≮f。t}^J 3 基于0．1lam 模拟前端电路设计‘ 朱红卫1” 彭敏2 杜涛2 (1上海华虹NEC电子有限公司，上海，201206) (2上海交通大学微纳科学技术研究学院，上海，200240) 2010—03—01牧稿，2010—07—21收改稿摘要：设计了13．56 MHz频段无源射频识别电子标签的模拟前端电路，采用常规0．13肛m含EEPROM的 CMOS工艺。设计了一种箝位电路，能够实现采用常规5 V器件耐射频识别芯片感应的高压功能，整个芯片实现了射频识别标签通信时所需的稳定电源电压提供、载波中信号的提取、芯片时钟恢复和反向调制信号发射的全部功能。关键词：射频识别；模拟前端电路；13．56 MHz；箝位电路；O．13um互补型金属氧化物半导体工艺中图分类号：TN432文献标识码：A 文章编号：1000—3819(2011)01—0065—05 APassiveRFIDFrontEndCircuit on Tag Based Design 0．13 CMOSProcess lam ZHU PENGMin2DUTa02 Hongweil Hua NECElectronics (ShanghaiHong Company，Ltd，Shanghai，201206，CHN) (InstituteMicro—Nano Jiao of Technology，ShanghaiTong front—endcircuitfor Abstract：An 13．56MHzRFIDis analog passive presentedby tag using normal0．13 EEPROMCMOS the ofa real— pm process．Withdesign circuit，it techniqueclamp izesthefunctiontowithstandinduced for V normal5 devices．Theresults high voltage testing thatthe can