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2.1.3 典型光敏电阻 1、CdS光敏电阻 CdS光敏电阻是最常见的光敏电阻，它的光谱响应特性最接近人眼光谱光视效率，它在可见光波段范围内的灵敏度最高，因此，被广泛地应用于灯光的自动控制，照相机的自动测光等。 CdS光敏电阻常采用蒸发、烧结等方法制备，在制备过程中把CdS和CdSe按一定的比例配制成Cd(S，Se）光敏电阻材料；或者在中掺入微量杂质铜和氯，使其既具有本征光电导器件的响应、又具有杂质光电导器件的响应特性。 CdS光敏电阻的峰值响应波长为0.52μm，CdSe光敏电阻为0.72μm，一般调整S和Se的比例，可使Cd(S，Se）光敏电阻的峰值响应波长大致控制在0.52~0.72μm范围内。 CdS光敏电阻的光敏面常为如图2-2（b）所示的蛇形光敏面结构。 2、PbS光敏电阻 PbS光敏电阻是近红外波段最灵敏的光电导器件。 PbS光敏电阻在2μm附近的红外辐射的探测灵敏度很高，因此，常用于火灾的探测等领域。 PbS光敏电阻的光谱响应和比探测率等特性与工作温度有关，随着工作温度的降低其峰值响应波长和长波长将向长波方向延伸，且比探测率D*增加。例如，室温下的PbS光敏电阻的光谱响应范围为1~3.5μm，峰值波长为2.4μm，峰值比探测率D*高达1×1011cm·Hz·W-1。当温度降低到（195K）时，光谱响应范围为1~4μm，峰值响应波长移到2.8μm，峰值波长的比探测率D*也增高到2×1011cm·Hz·W-1。 3、InSb光敏电阻 InSb光敏电阻是3~5μm光谱范围内的主要探测器件之一。 InSb材料不仅适用于制造单元探测器件，也适宜制造阵列红外探测器件。 InSb光敏电阻在室温下的长波长可达7.5μm，峰值波长在6μm附近，比探测率D*约为1×1011cm·Hz·W-1。当温度降低到77K（液氮）时，其长波长由7.5μm缩短到5.5μm，峰值波长也将移至5μm，恰为大气的窗口范围，峰值比探测率D*升高到2×1011cm·Hz·W-1。 4、Hg1-xCdxTe系列光电导探测器件 Hg1-xCdxTe系列光电导探测器件是目前所有红外探测器中性能最优良最有前途的探测器件，尤其是对于4~8μm大气窗口波段辐射的探测更为重要。 Hg1-xCdxTe系列光电导体是由HgTe和CdTe两种材料的晶体混合制造的，其中x标明Cd元素含量的组分。在制造混合晶体时选用不同Cd的组分x，可以得到不同的禁带宽度Eg，便可以制造出不同波长响应范围的Hg1-xCdxTe探测器件。一般组分x的变化范围为0.18~0.4，长波长的变化范围为1~30μm。 PN结是在一块单晶中存在紧密相邻的P区和N区结构．通常是在一种导电类型（P型或N型）半导体上用合金、扩散、外延生长等方法得到另一种导电类型（N型或P型）的薄层。 １. 半导体PN结 n区导带的电子浓度高，p区价带的空穴浓度高，在p-n结结区附近，电子由n向p扩散，空穴由p向n扩散，这样，在n区的结面附近剩下施主正离子形成的正空间电荷，在p区的受主负离子形成负的空间电荷。最后，在p-n结两侧p区与n区界面附近产生不能移动的离子区（也称耗尽区、空间电荷区、阻挡层），形成结电场（称内建电场）。 4+ 5+ 4+ 5+ 5+ 5+ 4+ 4+ n区 p区 3+ 3+ 3+ 3+ 4+ 4+ 5+ 4+ 4+ n区 p区 3+ 3+ 3+ 3+ 5+ 5+ 5+ 结电场E 图1 p-n结的结构特性 半导体PN结的能带结构如图1-12所示，当P型与N型半导体形成PN结时，P区和N区的多数载流子要进行相对的扩散运动，以便平衡它们的费米能级差，扩散运动平衡时，它 们具有如图所示的同 一费米能级EF，并在 结区形成由正负离子 组成的空间电荷区或 耗尽区。 2、伏安特性 pn结在外电场作用下的电流电压方程可表示为 图2 p-n结电流方程 2. 光生伏特效应 光生伏特效应是基于半导体PN结基础上的一种将光能转换成电能的效应。当入射辐射作用在半导体PN结上产生本征吸收时，价带中的光生空穴与导带中的光生电子在PN结内建电场的作用下分开，并分别向如图1-11所示的方向运动， 形成光生伏特电压或光生电流的现象。 光生伏特效应产生一个与p-n结的内建电场方向相反（与p-n结正向相同）的光生电场，其方向由p区指向n区。形成光生电动势，p端正，n端负；外界构成回路时，光电流由p端流出；但在光生电动势作用下，会形成由p区流向n区的结电流，其方向与光电流相