现代MOSFET器件开启电压比较研讨.pdf

现代MOSFET器件开启电压比较研究 马玉涛 刘理天 李志坚 清华大学微电子学研究所 北京 100084 摘要:衬底非均匀掺杂器们因为其良好的短沟效应而成为MOSFET器件结构设计中 的必要结构之一。而「沟道杂质分布对开启L日t+.的影响至关重要。本文针对衬底非均匀掺杂的 MOSFET器刊提出了表面)IN反型开启电压和恒定载流子浓度开启电压的概念，并在数值求解 的基础上验证了两种定义的等效性。进而系统地对衬底杂质均匀分布、台阶状分布和高斯分 布二种典型的沟道掺杂结构器件的开启电压进行了比较研究 计算结构验证了台阶状杂质分 布结构降低开启电F的作用，以及非均匀掺杂结构相对于均匀掺杂结构减小开启电压的特 性。计算结果表明、对于台阶状分布的结构，Ii氏掺杂区域的宽度小于耗尽层厚度时，耗尽 层厚度与低掺杂区域的宽度基本无关。文中同时给出了一个适用丁台阶状杂质分布的MOS器 件开启电压的解析模型 1.引言 随着器件尺寸的不断缩小，为抑制短沟道效应，衬底掺杂浓度越来越高。为了保持 在很高的衬底掺杂浓度时仍有合适的开启电压，现代MOSFET器件中)泛采用非均匀掺杂的 衬底杂质分布结构1【-41o典型的衬底掺杂分布有以F儿种:传统的均匀分布、由外延 「艺形 成的台阶状分布、由离子注入}艺形成的高斯型分布等。近年来在亚 0.1微米级的器件中， 横向和纵向都是仆均匀分布的super-halo结构被)’泛采用 开启电仄是MOSFET器件中非常屯要的一个参量。针对衬底非均匀掺杂的器件开启 电压的研究也很)泛[2-4]。本文针对衬底非均匀掺杂的情况提出了恒定载流子浓度开启电 压，利用数值方法比较了通常采用的表面强反型开启电压和恒定载流子浓度开启电压的等效 性。并系统比较了均匀分布、台阶状分布和高斯分布的衬底掺杂器件的开启电压特性。 2.模型及结果讨论: 文献中通常采川表面强反{?时的栅电压为MOS器件的开启电压(以 卜称为表面强反 M开启电压) 在均匀掺杂衬底情况 卜，表而强反型的条竹是表面势达到两倍的体费米势， 厂Nsub ，._ .._…_ 二1_二 。一 入。11~、二。*、，t KP:0,=驰一2丛二In}— }·n09，ftfTIQcIr=j=,jrI,n,1,N1一、一}1nltlm1tintr}}a: } n 少 浓度可以使用，该定义也就不能白_接应用于衬底掺杂为台阶状或高斯分布的情况。为了能够 -422- 尸. ，，‘1。「 2 落 对不同衬底掺杂分布情况 F的器件开启电 E 畜 “1。’ 2 乃 A ︵ 压进行比较研究，本文采用表面反型层达到 旦 百2川护 ︾ . B 月 一定的载流子浓度时的栅电压作为开启电 名 ra.}o ) . 5 0 1 ^ 毛 t加，已 P 压的定义(以下称为恒定载流子浓度开启电 o l