垂直生长碳纳米管阵列法向导热系数测量研究.pdfVIP

中国工程热物理学会 传热传质学 学术会议论文 编号：083325 垂直生长碳纳米管阵列法向导热系数测量 1 1 1 1 2 2 李 谦 郑兴华 祝捷 唐大伟 刘云圻 朱道本 （1 中国科学院工程热物理研究所，北京，100190；2 中国科学院化学研究所， 北京 100190） Tel:010 Email: dwtang@mail.etp.ac.cn 摘要：本文使用 3ω方法对一种由垂直于石英玻璃表面生长的碳纳米管阵列组成的界面材料法向导热 系数进行了测量。针对样品的具体结构，提出了一种一维简化模型，使用了等效热阻的概念对实验数 据进行拟合，计算得到室温条件下(300K)本实验所用样品的导热系数约为56W/mK。分析了可能造成碳 纳米管阵列导热系数偏小的各种因素。 关键词：碳纳米管阵列，导热系数，3ω方法，等效热阻 0. 引言 近年来，大量热量的产生和堆积造成微电子器件的功能不稳定甚至损毁，进而造成 电子产品的失效，这已成为微电子技术发展的瓶颈，因此各种高导热的封装、界面材料 引起了人们的注意。碳纳米管作为一种人造的新材料，很早就被人们注意到其力学和热 学的各种性能。单根碳纳米管更是以其沿长度方向的超高导热系数受到广泛关注，并被 认为是新一代最具潜力的封装界面材料。Hone[1]等人早在 1999 年时就估算出单根单壁 碳纳米管沿长度方向的导热系数应该在 1750W/mK—5800W/mK。其后的研究显示，单 [2] [3] 根单壁碳纳米管（SWNT ） 和单根多壁碳纳米管（MWNT ） 的导热系数已经至少可 以达到 3000W/mK，而理论预测的导热系数值更是达到了 6600W/mK[4] 。针对电子器件 散热问题，由于将碳纳米管作为粒子悬浮在基液中导热性能提升不大，于是，直接利用 生长在基底上的方向性良好并且排列整齐的碳纳米管阵列进行导热就成为了一个新的 选择。本文将对生长在石英玻璃基底上的碳纳米管阵列进行导热性能的评估。 1. 试样描述及制备 本文所使用的测试样品是通过酞菁染料（iron （Ⅱ）phthalocyanine ）在 800–1000° C 的Ar/H 气流中热分解后，垂直于 1cm×1cm ×500μm 的石英玻璃（主要成分是SiO ） 2 2 图1 垂直于基底表面碳纳米管阵列截面SEM图 图2 碳纳米管阵列近照 基底表面排列整齐的碳纳米管阵列。由图 1 可以看出，长度为 5μm 的碳纳米管生长均 匀，方向性良好，面密度较高，成膜状覆盖在基底表面。图 2 是阵列的近照，可以看出， 碳纳米管长度均一性、方向性良好，彼此间很少接触。 [5] 本实验采用四焊盘 3-omega法进行测量，由于碳纳米管阵列形成的膜是导电的 ， 为了不破坏样品原有的结构，选择常温下镀类金刚石膜的工艺，在碳纳米管膜表面镀上 一层 500nm的类金刚石膜作为绝缘层。为了保证良好的接触和黏附性，在形成加热器/ 探测器之前，先在类金刚石膜上化学沉积 20nm的Ti层，然后在Ti层上沉积 150nm的Au膜， 最后用紫外曝光的方法形成线宽 40μm ，有效长度2mm 的加热器/探测器，引线使用 25μm 粗的Au丝。测试样品的主要膜层结构如图 3 所示。 ③ ② （从上至下）