垂直Bridgman多组元化合物晶体生长过程的热质对流研究.pdfVIP

中国工程热物理学会 传热传质 学术会议论文 编号：07318l i 垂直Br 程的热质对流 陆军，白博峰，郭烈锦 (西安交通大学多相流国家重点实验室，西安7l0049) Emai (0291：superbfpl@163．com) 摘要：在垂直Bridgman晶体生长装置中，熔体的热质对流是由于温度梯度和浓度梯度间的相互作用引 起的，而温度梯度和浓度梯度由合金的热物性和生长炉的结构所决定。由于温度梯度和浓度梯度的耦 合作用，坩埚中熔体的流动结构形式多样，由流动引起的溶质分布也呈多种形式。本文以GeSi多组元 化合物半导体晶体为对象，数值研究了垂直Brid舯an晶体生长过程中的热质对流现象，分析了GeSi 合金热物性、生长炉结构对热质对流和径向溶质分凝的影响规律。模拟结果表明，在垂直Brid舯aIl装 置中，熔体的热质对流是由于生长炉的热边界条件不连续性和合金熔．固相热物性不匹配引起的；随着 熔体流动强度的增加，径向溶质分凝变化出现两个极小点，所以单纯地抑制或加强熔体对流并不一定 能改善径向溶质分凝现象。 关键词：垂直Bridgman装置，热质对流，温度梯度，径向溶质分凝 O前言 ～多组元化合物品体被广‘泛应用在国民经济和国防领域中，其中GeSi作为一种FIR 陷【4—6】。近二十年来，针对垂直Bridgman晶体生长过程进行了大量的实验和数值研究， 旨在揭示晶体生长过程中组分不均和晶体缺陷产生的内在机理f7-10】。研究表明，垂直 Bridgman装置中的严重径向溶质分凝是由于热质对流和弯曲固-液界面形貌问的耦合作 用引起的。当熔体流动强度增加时，固．液界面的弯曲程度和径向溶质分凝都会加剧。 对流产生的原因和熔体流动对温度和溶质分布的影响。 1模型及数值方法 1．1物理模型 在垂直Bridgman装置中，熔体密封于圆柱形的坩埚内。晶体的形状和大小完全由 坩埚的形状决定。常用的Bridgman生长炉为三段热管炉结构，生长炉的上部是高温等 温区，下部是低温等温区，中间是绝热区，在绝热区内形成晶体凝固生长时所需要的轴 向温度梯度。在本文中同时考虑了三段热管炉的理想模型一原型炉，原型炉忽略了坩埚的 1201 传热热质。图1所示的是原型炉和三段热管炉的结构示意图。在原型炉和三段热管炉中 高、低温等温区均对称分布。不考虑生长炉一坩埚之间的有限传热，即认为生长炉一坩埚 间理想传热。 loule． ．Amf ＼ 兰 ＼ ≮岂 『f ＼o ＼N ≮星 OO江 QQ婆 婆 ＼∞