硅基聚合物SiO2混合材料AWG的无热化研究.pdfVIP

全圈第四届塑料光纤、聚合物光子学会议论文集 硅基聚合物／Si02混合材料AWG的无热化8 马春生，李德禄，闰欣，汪玉海，郑传涛 (集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学实验区， 吉林大学电子科学与工程学院，长春130012) 摘要：通过选择合适的聚合物材料取代硅基Si02 温度敏感性，实现了这种聚合物／Si02混合材料AWG的无热化工作。分析了硅基Si02AWG和硅基 聚合物／Si02混合材料AWG的温度特性，给出了聚合物上包层的优化选择方法。模拟结果表明，所 设计的这种混合材料AWG在20～70oC的温度变化范围内，中心波长漂移的量值小于0．024nm，相 nm／K。 应的温度依赖波长漂移率的量值小于O．0033 关键词：硅基Si02AWG；硅基聚合物／Si02混合材料AWG：温度依赖；无热化 1引言 由、交叉互连、波长变换、开关等方面具有广泛的应用【lqJ。硅基Si02AWG是研究最早同时也是研 究最为广泛的AWG器件，目前已经进入商品化和实用化阶段。AWG的性能紧密地依赖于器件的温 度敏感性或热稳定性。由于Si02波导材料具有正的热光系数，Si02衬底材料具有正的热胀系数，二 者之间不能产生补偿效应而减小硅基Si02AWG对温度的依赖性，因此硅基Si02AWG的温度依赖 波长漂移率较大，约为-0．0l nm／K，对环境温度的变化很敏感。在特定温度下设计的硅基Si02AWG， 当环境温度变化时，将会引起较大的光谱漂移。如果在AWG的设计过程中就能消除温度依赖性， 进而实现AWG的无热化工作，这将是非常实用和十分必要的[4-8]。 一般说来，聚合物具有较大的负热光系数，通常处于一10。4／K的量级，其绝对值相当于硅热光系 数(+10。／K)的10倍。因此可以选择合适的聚合物材料去替代硅基Si02AWG中的Si02上包层， 正的热胀系数之间的补偿效应，从而实现硅基聚合物／Si02混合材料AWG器件的温度不敏感性或无 热化，使器件在工作时不受环境温度变化的影响【9lo 本文首先分析了硅基Si02AWG的温度特性，分析结果表明，该器件对温度的变化很敏感，温 度引起的波长漂移较大。然后用聚合物材料取代Si02上包层，分析了这种硅基聚合物／Si02混合材 料AWG的温度特性。为了实现这种混合材料AWG的温度不敏感并使之无热化工作，给出了聚合物 nm／K nm／K。 减／J,N硅基聚合物／SiO，混合材料AWG的0．0033 2AWG的光栅方程和传输光谱 条矩形阵列波导构成。输入／输出信道波导和阵列波导由两个平板波导相连。 AWG的光栅方程为【10】 (1) nsdsinoi。+，2。址+n,dsinOo。t=m2 式中，m为衍射级数，五为传输波长，ll。为平板波导的模有效折射率，髓。为矩形波导的模有效折射 ’国家自然科学基金资助项目 79 全l翻第四届塑料光纤、聚合物光予学会议论文集 率，d、AL分别为相邻阵列波导的间距和长度差，兔为入射角，晚。。为出射角。利用光栅衍射理论， 可以得到2M+1条阵列波导在输出平板波导中的归一化衍射远场分布为【11】 图1 AWG的结构示意图 岛(足△侈)cos[七(颤dsin谚。+k。AL+k,dsinO。,)】 E(80。。)=氐(eo。；)丘型 (2) ‰ 七 △秒