磁存储器驱动电路界面平坦化研讨.pdfVIP

2005年11月 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 珠海 磁存储器驱动电路界面平坦化研究 1杜寰，‘赵玉印，1韩郑生，1夏洋，2张志纯 1中科院微电子研究所，2湘潭大学职业技术学院机电与电子工程系 Force 摘要：本文利用原子力显微镜(Atomic Electron RandomAccess Microscope(SEM))对磁存储器(MagnetiCMemory(MRAM)) 驱动电路与存储单元——磁性隧道结(MTJ)的连接界面的表面平坦化进行了研究。原子力 显微镜照片表明：磁控溅射沉积的金属铝膜的表面由尺寸约为300nm的颗粒组成，其表面 粗糙度约为几十纳米的量级，用统计平均值(均方根值RootMean Square(RMS))描述 约为lOnm：在铝膜的表面沉积一层难溶金属Ti或Ta膜以后，可很好地改善过渡层金属表 MechanicalPlanarization 面的平坦化效果。通过用化学机械平坦化设备(Chemical (CMP))在小压力和低转速的条件下可使过渡层金属表面的RMS值达到lnm的平坦化效 果。扫描电镜照片的结果也显示：利用光刻胶平坦化，然后通过调节反应离子刻蚀的条件， 使刻蚀的过程中对氧化硅和光刻胶的刻蚀速率相等，去掉光刻胶，达到平坦化整个芯片表 面的效果。 关键字：磁存储器，平坦化，表面粗糙度，均方根值。 RandomAccess §1引言：磁存储器(Magnetic Memory(MRAM))作为非易失性存储器， 由于具有速度快、功耗低、存储密度高等优点而受到学术广泛地青睐[1，2]，磁存储器最 u 近两年也取得了长足地进展。2004年IBM公司，通过应用0．18m铜布线的CMOS工艺， Transistor1 Tunnel 采用1T1MTJ(1 Magnetic Junction)的结构研制出了16Mbit磁 存储器[3]，并计划于2006年研制出256Mbit的MRAM。目前有报道表明，通过应用新的势 垒层材料和磁性材料以及新的制备方法，使MTJ的TMR效应在常温下能达到～230％，在低 温下达到～300％。这为简化MRAM的驱动电路、提高性能、降低功耗打下了基础。MRAM驱 动电路的工艺是多层金属布线的标准CMOS工艺。由于MTJ中隧道势垒层是一层厚度约为 lnm的金属氧化层(通常为氧化铝AIOx或氧化镁MgO。)，所以，MTJ对接触表面平整度要求 很高，通常要求表面有很好的平整度[4]。接触表面的平整度包括两个方面，一个方面是 指直接与MIJ接触的局部区域，该区域有很好平整度(通常要求该区域的粗糙度的RMS值 小于inm)；另一方面要求整个驱动完成后表面要求没有高的台阶，以避免过渡层金属线和 位线线在跨过这些台阶时发生断裂。本文采用在金属铝线上沉积一层金属钛或钽膜，然后 用CMP对直接与MTJ接触的局部进行平坦化处理。对整个芯片表面的平坦化处理则通过沉 积氧化硅和旋涂光刻胶来进行，然后通过调节反应离子刻蚀条件，使对氧化硅的刻蚀速率 等对光刻胶的刻蚀速率，然后去掉光刻胶来实现。 §2器件设计：图一给出了1T1MTJMRAM的结构示意图。由存储单元MTJ完成数据“0” 和“1”的存储。在写的过程，读字线控制MOS器件处于断开状态，由写字线和位线共同 产生的电流磁场作用，决定MTJ自由层磁化方向的取向，达到将数据写入的目的。通常情 况下，我们认为当自由层的磁化方向与钉扎层的磁化方向一致时为数据“0”，而当自由层 2005年11月 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 珠海 的磁化方向与钉扎方向相反时为数据“l”。读的过程中由读字线和位线共同作用完成，读 取信息时，写字线是处于零电位状态，读字线在脉冲信号的作用下使MOS器件处于开启状 态，电流从位线经MTJ，在经MOS器件流到地线。由于