南航考研模拟电子线路(模电)第一章02.pptVIP

1.2.4 半导体二极管及其参数 1.半导体二极管的结构 半导体二极管：由PN结加上两根电极引线并封装在管壳中可构成。 点接触型二极管：特点是PN结面积小，不能承受高的反向电压和大的正向电流，但其结电容小，工作频率可达100MHz以上。因此适用于高频检波和小功率整流。 面接触型二极管：特点是PN结面积较大，因而结电容大，工作频率低。适用于大电流、低频率的场合，常用于低频整流电路中。 2.半导体二极管的伏安特性 实测二极管2CP10(硅管)、2AP10(锗管)的伏安持性曲线： 3.半导体二极管的主要参数 （1）直流电阻：二极管两端所加直流电压与流过它的直流电流之比： 在正向工作区域， 随工作电压增大而减小。 在反向工作区域， 随反向电压增大而增大。 （2）交流电阻：二极管在其工作点 处的电压微变量与电流微变量之比： 　　　　　 二极管伏安特性曲线上 点处切线斜率的倒数。 　　　　　　　　　　 又称为二极管的增量结电阻，或肖特基电阻。 （3）最大整流电流 二极管长期运行时，允许通过的最大正向平均电流。其大小由PN结的结面积和外界散热条件决定。 （4）最大反向工作电压 二极管安全工作时所能承受的最大反向电压。手册上一般取击穿电压 的一半作为 。 （5）反向电流 二极管未击穿时的反向电流。 值越小，二极管单向导电性越好。 的值随温度变化而改变，使用时要加以注意。 （6）最高工作频率 由PN结的结电容大小决定。二极管的工作频率超过 时，单向导电性变差。 1.2.5 二极管的电路模型 1.理想模型 2.定压降模型 3.分段线性模型 4.二极管的数学模型 理想PN结的数学模型： 为了反映二极管的实际伏安特性： 式中 代表半导体体电阻和引线接触电阻；n为非理想化因子，其值与I有关，I为正常值时， ，I过大或过小时， 。 5.SPICE软件中二极管的模型 1.3 特殊二极管 1.3.1 稳压二极管 1.3.2 变容二极管 1.3.3 发光二极管 1.3.1 稳压二极管 动态电阻：在击穿区域， 和 之比，用 表示。 越小，电流变化时电压的变化愈小，即稳压特性越好。 稳压电路的稳压原理如下：当 升高时， （即 ）增大， 增大导致 剧增， 剧增使R上压降 增大，因为 ，从而抵消了 增大导致 增大的趋势，使 稳定。 R的选择应满足使稳压管工作在稳压区，下面讨论R的选择方法。 当 时， 应满足： 　　　　 即　　　　　　　　　　　 　　　　　 当 时， 应满足： 即　　　　　　　　　 限流电阻R的选择范围为： 　　　 1.3.2 变容二极管 二极管结电容随外加电压而变化，反向电压越大，结电容越小。 1.3.3 发光二极管 发光二极管也具有单向导电性，只有当外加正向电压使得正向电流足够大时，发光二极管才发出光来。 发光二极管通常用作显示器件，工作电流一般在几mA至几十mA之间。 1.3.4 光电二极管 光电二极管在无光照时，与普通二极管一样，具有单向导电性。 在有光照时，特性曲线下移，位于第三、四象限内。 在第三象限内，照度越大，光电流就越大，两者成线性关系，特性曲线是一组近似与横轴平行的直线。 在第四象限内，呈光电池特性。 1.4 半导体三极管 1.4.1 三极管的结构 1.4.2 三极管的工作原理 1.4.3　 三极管的特性曲线 1.4.4 三极管的主要参数 1.4.5 三极管的小信号模型 1.4.6 三极管其它工作模式的等效电路 1.4.1 三极管的结构 三极管又称为双极型晶体管，有多种分类方法: 按结构：NPN型和PNP型； 按功率大小：大、中、小功率管; 按所用半导体材料：硅管和锗管; 按照频率：高频管和低频管。 发射极E、基极B和集电极C：两块N型半导体中间夹一块P型半导体,三块半导体的电极引线。发射区、基区和集电区：这三块半导体。 相应半导体交界处形成了两个PN结： 发射结：发射区和基区交界处的PN结。 集电结：集电区和基区交界处的PN结。 PNP三极管与NPN三极管不同在