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可靠性试验项目 高温贮存试验 HTST High Temperature Storage 设备能力 环境温度+20℃ ~200℃ 常规条件： ①85℃ ②125℃ ③150℃ 可靠性试验项目 低温贮存试验 LTST Low Temperature Storage 试验目的： 评定产品承受长时间施加低温应力下工作或贮存的适应能力。 试验条件： 贮存温度： A: -40(-10/+0) ℃ B: -55(-10/+0) ℃ C: -65(-10/+0) ℃ 试验时间：168/504/1008hrs 可靠性试验项目 低温贮存试验 LTST Low Temperature Storage 高低温恒温试验箱 设备能力：-70℃~150℃ 设备精度：±0.2℃ 设备特点：设备具有可编程设置，可进行高低温循环试验。 常规条件： ①-40℃ ②-55℃ ③-65℃ 可靠性试验项目 电耐久试验 Burn-in 试验目的： 评定晶体管经长时间施加电应力和温度应力作用的能力。 试验条件： 1.普通三极管： 常温条件电压、电流：Vce=0.7Bvceo，Ic=Ptot/Vce（Bvceo为规范要求值，Ptot为规范要求的功率值）。 2.三端稳压器（主要针对78/79系列）： 输入电压：根据常规三端稳压器电耐久试验条件对照表 负载电流：负载电流＝额定功率P/（输入电压Vi－输出电压Vo） 3.稳压二极管及TVS管： 常温条件电压、电流：VR=Vz，Ic=PD/Vz，（Vz规范要求值，PD规范要求的功率值） 试验时间：168/500/1000 h 可靠性试验项目 电耐久试验 Burn-in 分立器件综合性老化台 设备能力：电流：10A/电压：120V 技术特点： 系统创新设计每个试验通道16路恒流电子负载，解决多功 能试验设备试验稳压二极管、整流二极管试验电流不稳定 的状况。 备注：中心另有三端稳压管老化系统。 可靠性试验项目 高温反偏试验 HTRB 试验目的：评定晶体管经长时间施加电应力和温度应力作用的能力。 试验条件： 试验温度：常规二、三级管为125±3℃；射频晶体管125±3℃； 肖特基二极管85±3℃；可控硅110±3℃；MOS管(VDSS≤100V)110±3℃，(VDSS＞100V)125±3℃ 试验电压：反偏电压为Bvcbo的70％，二极管为反向击穿电压的70％～80%，或根据产品要求或客户（Bvcbo为规范要求值）。 试验时间：168/500/1000 h 可靠性试验项目 高温反偏试验 HTRB 高温反偏试验系统 设备能力：温度:200℃/电压:1000V 技术特点： ①“自动加电”：老化加载实现自适应程控方式，调取器件数 据库自动完成试验全过程。 ②全程监控试验情况，记录试验曲线和数据供试验分析。 可靠性试验项目 易焊性 Solderability 试验目的：评估元器件leads在粘锡过程中的可靠度。 易焊性试验的方法主要有： 槽焊法(dip)和润湿法(wetting balance) 。 一般作为产品的检测工作主要使用槽焊法，简单易行。 判定标准：有效区域95%以上面积上锡，无针孔、不润湿、弱润湿、退润湿等异常 可靠性试验项目 易焊性 Solderability 试验条件：(245±5) ℃、（5±0.5）sec 助焊剂：酒精与松香重量之比为3:1或其它非活性助焊剂，目前我公司使用的是酒精与松香重量之比为3:1的助焊剂。 焊料：（无铅）锡银铜焊料（Sn96.5%/Ag3.0%/Cu0.5%） 浸入取出速度：(25±5) mm/s 易焊性试验的预处理方式 a) 蒸气老化1小时（如果试验加严，老化时间可以是4、8或16小时） b) 恒定湿热试验10天，湿热条件为温度40±2oC，相对湿度93±3% c) 高温老化155℃，16小时 槽焊法（定性） 可靠性试验项目 易焊性 Solderability 将元器件的引脚垂直浸入熔化焊料，焊料润湿元器件管脚则附着张力沿直线方向产生作用。由于附着力是接触角的函数，表示润湿的尺度，因此如能定量测定这个附着张力，便能定量求得焊料的润湿性，测定附着张力，可间接求得接触角的时间变化，得到润湿法的曲线，整个润湿过程为5秒。润湿称量装置如下图： 润湿称量法 Wetting Balance （定量） 可靠性试验项目 易焊性 Solderability 易焊性测试仪 制造商：ACCTRONICS 设备规格：ST88 设备能力 温度范围：室温~450℃ 测试方法：球焊法测试；锡槽法测试 传感器：线性度0.1%，分辨率1mg 浸润深度：0.1~9mm选择 浸润速度：1-50mm/s可调 常规条件 2