磁性薄膜材料磁电阻效应测试系统研究.pdfVIP

北京市高教学会技术物资研究会第九次学术年会 磁性薄膜材料磁电阻效应测试系统 王立锦张辉滕蛟于广华 北京科技大学材料科学与工程学院100083 摘要：概述了探针法金属薄膜磁电阻效应的测试原理，分析了探针因子对测量结 果的影响。利用2182纳伏表等仪器设计组装出了测试系统，实现了磁性薄膜材料磁 电阻效应的高精度测量。给出了微机控制软件关键子程序的C语言源程序。该系统 集数据采样、数据处理、参数计算等功能于一体，用户界面友好、测试范围宽、精 度高等特点。系统软件还能在计算机屏幕、打印机上绘出被测样品的磁电阻效应曲 线，井生成标准数据文件供ORIGIN等数据处理软件调用。对实际金属薄膜样品进行 了测试分析，效果良好。 关键词：磁性薄膜；磁电阻效应；C语言；计算机辅助测试；IEEE一488 磁电阻(Magnetic MR，AMR)效应。 效应。早在1857年Thomson就发现了各向异性磁电阻(Anisotropic 磁电阻材料在信息存取、精密磁场测量等众多领域的广泛应用极大地推动了对磁电 系。对电子输运特性的研究发现，控制Cr层的厚度为9A时，在4．2K的温度下，外加 2T的磁场会使得相邻的Fe层克服反铁磁层间耦合作用而其磁矩平行排列，同时测量 小组各自独立地在Co-Cu和Co—Ag颗粒膜体系中发现巨磁电阻效应。磁电阻效应大 体上经历了块状材料、单层膜材料、多层耦合膜材料及金属颗粒膜材料等几个阶段。 随着近年来纳米技术的发展，现在可以制备出实用化的纳米厚度薄膜材料。精确测定 薄膜材料的磁电阻值对于研究薄膜材料磁电阻效应及其应用有重要的意义。 目前国内外对于薄膜材料磁电阻效应的测量绝大多数均是基于四探针法的测试 原理，数据采集多是通过专用的12’16位A／D采集卡完成的。由于磁电阻薄膜的材 料多为磁性金属或其合金，其电阻值非常小(i0—3’10一1Q)，又加上薄膜很薄不能 施加大的电流，因此取样电压很小，一般仅有几百微伏，12’16位的数据采集卡在 352 北京市高教学会技术物资研究会第九次学术年会 精度上不能满足要求，采样所得的曲线将很不光滑，信噪比很差。如果在前级电压 采样部分加入电压补偿及放大电路，那么仪器的适用范围将受到限制。 美国KEITHLEY公司的双通道纳伏表2182是专门用来测量金属和超导体电阻的仪 表，它有r7．1／2位数码管显示，分辨率在10mY量程时可达lnV；双通道输入、快速 因此使用2182纳伏表将大大地提高测试系统的性能。 一、基本原理 对于各向异性磁电阻(AMR)效应，如果磁场方向与电流方向夹角为0则电阻率 的表达式为： 对于各向异性磁电阻(AMR)效应，如果磁场方向与电流方向夹角为0则电阻率的 表达式为： p(e)=Po+印COS2目 (1) 行时的电阻率，P．磁化强度砑与电流i垂直时的电阻率。测量薄膜的各向异性磁电 阻效应，关键就是必需确定电流和磁场之间的夹角，通常采用以下三种方法： (1)光刻法，即将薄膜光刻成窄带。可以认为窄带中只有平行、均匀的电流， 改变磁场方向由0=0。至0=90。，测出ap。此方法的缺点是，首先要对膜进行光 刻处理，而光刻工艺后有可能改变薄膜的性质，并引入形状各向异性。其次只能通 过改变磁场方向来获取矶或P上。对未饱和磁化的薄膜样品，由于局域磁化方向与外 磁场方向不尽一致，在此情况下，改变磁化方向将引起薄膜内局域磁化状态的变化， 因此与改变电流方向所测出的AMR是不一样的，为了研究不同磁场强度对磁电阻效 应的影响，就不能采用改变磁化方向的方法。另外对一些探索性的实验样品，每个 都进行光刻也是不现实的。 (2)平行电极法，在薄膜上做二条平行电极，只要极间距离足够小，在二极间 就会形成平行均匀的电流。改变外磁场方向，测出△p。此方法除了对测量样品不引 入形状各向异性外，上述其余缺点同样存在。 (3)探针法，用四探针测量电阻率，可以避免电极接触电阻对测量结果的影响， 因此在国内外早己被广泛用来测量半导体、铁氧体材料的电阻率．但是在四探针测 量方法中，共线四探针不能测量薄膜各向异性磁电阻效应(AMR)，必须采用非共线