空间用硼背场太阳电池太阳吸收率研讨.pdfVIP

．154．第十届中国太阳能光伏会议论文集 空间用硼背场太阳电池太阳吸收率研究 杜永超+，张泉，陈洁，么占雄 (天津电源研究所。天津300381) 摘 要 太阳电池相比有较高的太阳吸收率。本文通过对比BSFR和BSR两种太阳电池的生产流程，测试电极蒸镀前、 电极蒸镀后和减反射膜后各试验样品的表面反射率，并根据硅材料的结构特性和杂质扩散特性分析，得出了 BSFR太阳电池硼背场扩散工艺是造成其太阳吸收率较高的原因。 关键词 硼背场；太阳电池；太阳吸收率。 1前 言 效率应用水平为12．1％左右，但其有优良的抗辐照性能，一般应用于同步轨道的长工作寿命的卫星等；BSFR 太阳电池初始效率应用水平为14．8％以上，但其抗辐照性能相对较差，主要用于对初始效率要求较高、而对抗 辐照要求较低的航天飞行器。 BSR太阳电池0．03。太阳电池的工作温度与其太阳吸收率密切相关，太阳电池的太阳吸收率每增加0．01，太 阳电池的工作温度便约上升1度。而太阳电池的功率输出随着温度的升高而降低，一般讲，太阳电池短路电流 即温度每上升1度，太阳电池的输出功率就下降千分之五左右。所以与BSR太阳电池相比，BSFR太阳电池 在相同的太阳阵结构情况下其工作温度要高出3E，其输出功率因为温度的原因则有一定的下降。 本文针对BSFR太阳电池的太阳吸收率稍微高于BSR太阳电池的事实，根据空间用单晶硅太阳电池生产 特点，设计了相关的试验和测试工作，通过对比揭示了背场硼扩散工艺是造成BSFR太阳电池太阳吸收率较高 的原因。 2太阳吸收率 。 阳吸收率的情况。图1为AM0光谱在0．28pro至2．5tan范围内的能量分布。 25 al=l-凡司·eX)dk (1) n葛 式中：％——太阳吸收率； R轨)——太阳电池的光谱反射率； 晶体硅太阳电池及材料．155． E伉)——AMo一个太阳常数太阳光相对分光辐照度，l／11m。 3实验 首先，我们从BSFR太阳电池和BSR太阳电池的生产工艺开始，分析可能造成二者太阳吸收率差异的工 艺过程，图2为该两种太阳电池的生产流程图。从图2我们可以清楚的发现，除了BSR太阳电池没有硼背场 工艺之外，两种太阳电池的生产流程完全相同，而且事实上各工艺参数也基本相同，所以，造成太阳吸收率区 别的最可能的原因在于硼背场工艺。 BSFR太阳电池 BSR太阳电池 化学减薄 制备硼备场 制备磷发射结 制备上电极 制备下电极 200 划片 430∞800100D12331413160D1锄∞2202皿拙 wM如呐㈣ 蒸镀减反射镆 图1 波长范围在0．28IIm至2．5u111区域内的AMO 图2 BSFR和BSR太阳电池工艺流程图 光谱能量分布 阻率为8-121-1一cm，经过一定浓度的NaOH溶液腐蚀，将硅片厚度减薄为2301山m。将减薄的硅片按表1制备 试样品的表面反射率，见图3，并计算太阳吸收率。