规范书释疑联络人及其他须知-国家试验研究院.DOCVIP

財團法人國家實驗研究院 國家奈米元件實驗室 高密度電漿化學氣相沈積系統之反應離子蝕刻腔體升級8吋晶片系統功能修改及 多腔體機械手臂維修 招標規範書  目錄 項目 頁 次 目錄 2 一. 說明 4 二. 產品名稱及數量 4 三. 審查文件 7 四. 規範書釋疑聯絡人及其他須知 7 五. 驗收標準 7  說明 本規範適用於國家奈米元件實驗室高密度電漿化學氣相沈積之反應離子蝕刻系統(HDPCVD/RIE system，腔體C)之系統功能修改為8吋晶片使用及修改與維修用以傳輸各腔體(A, B, C, D)之MTR5多腔體共用之機械手臂。 產品名稱及數量 本規範之系統功能及搭配之軟硬體修改需求如下： (一)高密度電漿反應離子蝕刻系統(HDPRIE system) HDPRIE腔體(C)結構圖示簡介 需修改及更換之零件: 需重新製作可供8吋晶片製程使用之靜電吸盤(E-Chuck)，其靜電吸盤之相關規格如下： 需為鋁材質，且經硬質陽極處理 靜電吸盤內有冷卻水道 靜電吸盤內有氦氣晶圓背面冷卻氣流通道 靜電吸盤可聯接Bias RF DC硬體 點燃電漿時不能有Arcing的現象產生 需製作搭配靜電吸盤之Focus Ring 配合8吋晶片使用之靜電吸盤，修改為8吋晶片可使用之focus ring 其focus ring需為陶瓷(ceramic) 材質 需製作新Clamp Ring 需配合靜電吸盤尺寸，符合8吋晶片使用 其Clamp Ring需為陶瓷(ceramic) 材質 需製作新Insulation Plate 及 Bushing 其Insulation Plate 及 Bushing需為陶瓷(ceramic) 材質 因應此8吋晶片升級所需之相關套件，閥件、管線(含相關水氣電)及相關零組件部件，皆含於此升級工程中，其升級後皆需符合驗收規範之要求。 腔體之機械手臂修改 可供8吋晶片使用 材質需為AL6061 表面需進行陽極處理 (二)MTR 5多腔體機械手臂維修 高密度電漿氣相沈積系統之MTR5機械手臂會經常性發生無法回復零點(Home)情形，且無法進行機械手臂之其他功能，需進行內部電路板維修與零件更新。 (三) 軟體修改 搭配硬體修改，相關之軟體程控、PLC及人機介面需同步進行修改，並需能符合原系統之控制及操作使用模式。 審查文件 投標時，請檢送具有與本案招標標的（電漿化學氣相沉積系統維護）類似之承做證明文件（如：訂購單、合約書或驗收等證明文件）。 投標廠商於投標時請提供基本設計概念圖，及依據規範書之部件提供詳細規劃之附屬配件清單，並於得標後，需提供相關之細部設計(含尺寸，空間及配線規格)與相關軟硬體連結功能，並據此作為現場施做及後續驗收文件。 規範書釋疑聯絡人及其他須知 投標廠商對本規範書有任何問題，請於招標釋疑期限內向本實驗室詢問。 黃文賢，分機03-5726100 ext.7523。 投標廠商須了解化學氣相沈積(含反應離子蝕刻腔體)之硬體架設與規格與操作經驗(如傳送腔、反應腔、真空壓力計、真空泵浦、及搭配之相關硬體與氣體管線零件…等)。 得標廠商在NDL履約期間內，均需要符合NDL的無塵室相關規定。 驗收標準 高密度氣相沈積系統之反應離子蝕刻系統及多腔體共用機械手臂之硬體功能修改後，皆需經測試符合以下功能： 製程腔體背壓需小於5*10-5 torr。 製程壓力可低於10 mtorr。 氦氣晶圓背面冷卻系統作用時氦氣流量不能大於2 sccm (at He 3 Torr) ICP Bias RF, 反射功率不能大於設定值的5% 包含硬體修改涉及之相關系統程控軟體及人機頁面功能修改，需符合原反應離子蝕刻系統之系統功能。 連續傳送8吋晶片，自Load Lock 腔體至製程腔體，再由製程腔體至Load Lock腔體， 至少20次以上不掉片。 可進行Al、Si、oxide等之蝕刻。 需檢附修改及維修後之零件尺寸圖。 六、履約期限 決標日起45個日曆天(所有假日皆計入)內完成。 國家奈米元件實驗室 NATIONAL NANO DEVICE LABORATORIES 案號：NDL-S-101225 頁 數 PAGE: 6 OF 7 購案名稱：高密度電漿化學氣相沈積系統之反應離子蝕刻腔體升級8吋晶片系統功能修改及多腔體機械手臂維修 6 本文件為財團法人國家實驗研究院國家奈米元件實驗室專有之財產，非由書面許可，不准透露或使用本文件，亦不准複製或轉變成任何其他形式使用。