四川大学霍尔效应实验精选.docVIP

霍 尔 效 应 实 验 四川大学物理学院瞿华富 霍尔效应是美国科学家霍尔于1879年发现的。由于它揭示了运动的带电粒子在外磁场中因受洛伦兹力的作用而偏转，从而在垂直于电流和磁场的方向上将产生电势差的规律，因此该效应在科学技术的许多领域（测量技术、电子技术、自动化技术等）中都有着广泛的用途。现在霍尔效应产品已经在自动化和信息技术中得到了广泛地应用。特别是在用计算机进行四遥（遥测、遥控、遥信、遥调）监控的一些现代化设备中，应用磁平衡和磁比例式原理研制的霍尔电压传感器、霍尔电流传感器和霍尔开关量传感器进行静电（直流）隔离，实现了直流电压高精度的隔离传送和检测，直流电流高精度的隔离检测和监控量越限时准确的隔离报警。从而在我国引起了许多科技人员对霍尔效应、霍尔元件以及应用霍尔效应的实用知识和实用技术的关注。 本实验通过研究霍尔电压与工作电流的关系，霍尔电压与磁场的关系以及消除霍尔效应的副效应的方法，从实验中认识霍尔效应，为在自动检测、自动控制和信息技术中应用霍尔效应打下一个良好的基础。 [预习与思考题] 1．什么是霍尔效应？它与外加磁场有何关系? 2．在测量霍尔电压时，怎样消除副效应的影响？ 3．霍尔电压有何特点？霍尔效应有何用途？ [实验目的] 1、认识霍尔效应，懂得产生霍尔效应的机理。 2、研究霍尔电压与工作电流的关系。 3、学习用霍尔器件测量电磁铁磁场B的方法，研究霍尔电压与磁场的关系。 4、了解霍尔效应的副效应及消除方法。 5、学习消除失调电压的方法。 [实验仪器] 霍尔效应应用技术综合实验仪；霍尔效应实验板。 [实验原理] 1、霍尔效应及其产生机理 一块长方形金属薄片或半导体薄片，若在某方向上通入电流IH，在其垂直方向上加一磁场B，则在垂直于电流和磁场的方向上将产生电位差UH，这个现象称为“霍尔效应”。UH称为“霍尔电压”。霍尔发现这个电位差UH与电流强度IH成正比，与磁感应强度B成正比，与薄片的厚度d成反比，即 （1） 式中RH叫霍尔系数，它表示该材料产生霍尔效应能力的大小。 霍尔电压的产生可以用洛伦兹力来解释。 如图1所示，将一块厚度为d、宽度为b、长度为L的半导体薄片（霍尔片）放置在磁场B中，磁场B沿z轴正方向。当电流沿x轴正方向通过半导体时，若薄片中的载流子（设为自由电子）以平均速度沿x轴负方向作定向运动，所受的洛伦兹力为 （2） 在fB的作用下自由电子受力偏转，结果向板面“I”积聚，同时在板面“Ⅱ”上出现同数量的正电荷。这样就形成一个沿y轴负方向上的横向电场，使自由电子在受沿y轴负方向上的洛伦兹力fB的同时，也受一个沿Y轴正方向的电场力fE。设E为电场强度，UH为霍尔片I、Ⅱ面之间的电位差（即霍尔电压），则 （3） fE将阻碍电荷的积聚，最后达稳定状态时有 （4） 即 或 （5） 设载流子浓度为n，单位时间内体积为v·d·b里的载流子全部通过横截面，则电流强度IH与载流子平均速度v的关系为 （6） 将（6）式代入（5）式得 = RH （7） (7)式中，RH即为（1）式中的霍尔系数 RH == （8） (8)式中UH的单位为伏特，d的单位为厘米，IH的单位为安培，B的单位为高斯，霍尔系数RH的单位为（厘米3/库仑）。 改写（7）式为： （9）(9)式中，KH称为霍尔元件的灵敏度。 KH=RH/d (10) (10)式中，RH的单位为（厘米3/库仑），d的单位为厘米、KH的单位为(mV/mA?T)。 2、霍尔电压的特性及测量 从（9）式UH=KHIHB便可看出霍尔电压的特性为： 1.在一定的工作电流IH下，霍尔电压UH与外磁场磁感应强度B成正比。这就是霍尔效应检测磁场的原理。即 B= （11） 2.在一定的外磁场中，霍尔电压UH与通过霍尔片的电流强度IH（工作电流）成正比。即 （12） 伴随霍尔效应还存在其它几个副效应（统称热电热磁效应），给霍尔电压的测量带来附加误差。例如，由于测量电位的两电极位置不在同一等位面上而引起的电位差U0称为不等位电位差。U0的方向随电流方向而变，与磁场无关。另外还有几个副效应引起的附加误差UE、UN、URL（详见附录）。由于这