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第 1 章 半导体器件;教学内容; 教学要求;§1.1 半导体的特性;; 现代电子学中，用的最多的半导体是硅和锗， 它们的最外层电子（价电子）都是四个。;+4;1.本征半导体导电特性;空穴;2.本征半导体的导电机理;本征半导体中电流由两部分组成： 1) 自由电子移动产生的电流。 2) 空穴移动产生的电流。;1.1.2 杂质半导体;1、N 型半导体;2、P 型半导体;3、杂质半导体的示意表示法;半导体的特点;本节中的有关概念 ? 本征半导体、杂质半导体 ? 自由电子、空穴 ? N型半导体、P型半导体 ? 多数载流子、少数载流子 ;§1.2 半导体二极管;1、PN结中载流子的运动;漂移运动：少数载流子在内电场的作用下的运动。　;P型半导体;空间电荷区;扩散运动; PN结的形成;1、若将一块Ｐ型半导体和一块Ｎ型半导体 简单放在一起，在它们的交界面上是否可以形成 PN结？;2、 PN结的单向导电性;内电场被被加强，多子的扩散受抑制，少子漂移加 强，但少子数量有限，只能形成较小的反向电流。;PN结的特点： （1）PN结加正向电压时，呈现低电阻， 具有较大的正向扩散电流；导通 （2）PN结加反向电压时，呈现高电阻， 具有很小的反向漂移电流；截止 （反向饱和电流IS ） 得出结论：PN结具有单向导电性。;1.2.2 二极管的伏安特性;;伏安特性;1. 最大整流电流 IF; 以上均是二极管的直流参数，二极管的应用主 要利用它的单向导电性，应用于整流、限幅、保护 等等。 ;4. 二极管的极间电容;二极管的应用;二极管的应用举例1：二极管半波整流(理想二极管);二极管的应用举例2：已知ui=12sinωt(V),VD为硅管管压降UD=0.7V，试画出输出电压波形。;1.2.4 稳压管; 二极管的击穿：二极管处于反向偏置时，在一定的电压范围内，流过PN结的电流很小，但电压超过某一数值时，反向电流急剧增加，这种现象我们就称为反向击穿。;稳压二极管的参数:;正常稳压时 VO =VZ;题1-7 解：;光电二极管;国产二极管型号命名及含义;§1.3 双极型三极管（BJT）;基区：较薄，掺杂浓度低;三个电极;1.3.2 三极管中载流子的运动和电流分配关系;IBn;IBn;三极管具有电流放大作用的条件：;1.3.3 特性曲线;1、输入特性;2、输出特性;iC(mA );iC(mA );输出特性三个区域的特点:;例1： ?=50， VCC =12V， RB =70k?， RC =6k? 当VBB = －2V，2V，5V时， 晶体管的静态工作点Q位 于哪个区？;VBB =2V时：;判断三极管的工作状态可有以下方法:; 根据晶体管的三个电极电位，判别三个电极及管子类型;例3：一个晶体管处于放大状态，已知其三个电极 的电位分别为5V、9V和5.2V。试判别三个电极， 并确定该管的类型和所用的半导体材料。;共基直流电流放大系数：;在以后的计算中，一般作近似处理：? =;2、反向饱和电流;(2)集电极－发射极反向饱和电流ICEO(穿透电流）;3、极限参数;(3)集电极最大允许功耗PCM;§1.4 场效应晶体管（FET);场效应管的分类：;N;N沟道结型场效应管;P沟道结型场效应管;2、工作原理（以N沟道为例）;D;D;uGS保持不变（ UGS(off) uGS0),uDS0;G;G;G;VDD;D;结论：;;恒流区：(又称饱和区或放大区）;夹断区（截止区）;uGS /V;;uGS;iD; 结型场效应管的缺点：;P;G;G;S;P;P;P;P;;0;G;转移特性曲线;iD;N;N;各种场效应管对比;;;1.4.3 场效应管主要参数;2、交流参数;双极型三极管与场效应三极管的比较;1.本征半导体中加入微量的5价元素的杂质，构成的是________型半导体，其多数载流子是_________，少数载流子是_________。;3.当PN结外加正向电压时，扩散电流___________ 漂移电流，耗尽层变___________；当PN结外加反向电压时，扩散电流___________ 漂移电流，耗尽层变___________。;5．稳压管稳压是利用它的 特性，所以必须给稳压管外加 电压。 ;8.下图 (a)和(b)是两个放大管的不完整的符号，根据图中所给数据和电流方向，判断它们的导电类型分别为___________ 型和___________型，用半导体材料___________和___________制成，电流放大系数β分别为___________和___________。;9.三极管处于放大状态时，是工作在其特性