2017电子技术与数字电路（北大第二版）课件：13 双极型晶体管.ppt

图1.26 晶体管输出特性曲线 在输出特性曲线上可划分三个区域：截止区、放大区和饱和区。 1.3.4 晶体管的主要参数 共射电流放大系数β和β 极间反向电流ICBO和ICEO 集电极最大允许电流ICM 集-射极反向击穿电压U(BR)CEO 集电极最大允许耗散功率PCM 第1章 半导体器件 1.3双极型晶体管 常用的半导体器件按照参与导电的载流子情况可分为电子和空穴两种载流子参与导电的“双极型”和只涉及一种载流子的“单极型”两大类。 双极型晶体管（bipolar transister）又称半导体三极管，简称晶体管。它是电子线路中的核心器件。 图1.20所示为晶体管的几种常见外形，其中图1.20（a）所示为低频小功率管，图1.20（b）所示为高频小功率管，图1.20（c）所示为低频大功率管。 图1.20 几种晶体管的外形 1.3.1 晶体管的结构 晶体管由两个PN结和三个电极构成，按PN结的组成方式分为NPN型和PNP型两种类型，如图1.21所示。 由图可见，无论是NPN型还是PNP型的晶体管，它们都具有三个区：集电区、基区和发射区，并相应地引出三个电极:集电极、基极和发射极，分别用c、b、e来表示。 基区与发射区之间的PN结称为发射结，基区与集电区之间的PN结称为集电结。 晶体管符号中的箭头表示管内正向电流的方向。箭头指向管外的为NPN管，箭头指向管内的为PNP管。 图1.21 晶体管结构示意图和图形符号 晶体管的结构在工艺上具有以下特点： （1）发射区进行重掺杂，以便于产生较多的载流子； （2）基区很薄且掺杂浓度低，有利于发射区载流子穿过基区到达集电区； （3）集电区轻掺杂，但面积大，以保证尽可能多地收集到从发射区发出的载流子。 正是由于晶体管结构的上述特点，才使它产生了电流控制和放大作用。 1.3.2 晶体管的电流控制作用 对信号进行放大是模拟电路的基本功能之一。晶体管是放大电路的核心器件。 晶体管结构上的特点决定了它的电流放大作用的内部条件，为了实现电流放大，还必须具备一定的外部条件，这就是要使它的发射结处于正向偏置，集电结处于反向偏置。 如图1.22所示为NPN型晶体管的电源接法:UBB是基极电源，其极性使发射结处于正向偏置；UCC是集电极电源，其极性使集电结处于反向偏置。 图1.22给出了晶体管内部载流子的运动情况以及各电极电流分配示意图。 图1.22 晶体管内部载流子运动情况及电流分配示意图 1. 晶体管内部载流子的运动情况 （1）发射区向基区发射电子 由于发射结正向偏置，从而使多子（自由电子）的扩散运动加强，发射区的自由电子通过发射结不断扩散到基区，并不断从电源UCC的负极补充进电子，形成发射极电流IE。 （2）电子在基区的扩散和复合 从发射区扩散到基区的自由电子开始都聚集在发射结附近，而靠近集电结的自由电子很少，形成了浓度上的差别，因而自由电子向集电结继续扩散。由于基区掺杂浓度很低且做得很薄，所以自由电子只有很少一部分与基区中的空穴复合，所形成的电流记为IBE。 （3） 集电区收集电子 由于集电结反向偏置，它有利于该PN结两边半导体中少子的运动（漂移运动），而对多子的扩散运动起阻挡作用，即阻挡集电区的自由电子向基区扩散，但可以将从发射区扩散到基区并到达集电区边缘的自由电子拉入集电区，从而形成电流ICE，ICE是集电极电流IC的主要成分。 此外，还有集电区和基区的少子漂移运动所形成的反向电流，称为集电极—基极反向饱和电流，记作ICBO。ICBO的数值很小，它是构成集电极电流IC和基极电流IB的一小部分。 2. 晶体管的电流分配关系及电流放大系数 由图1.22可得晶体管各电极的电流分别为 集电极电流IC=ICE+ICBO （1-3） 基极电流IB=IBE-ICBO （1-4） 发射极电流IE=ICE+IBE （1-5） 纵合上述3式，可得晶体管3个电极的电流关系为IE=IB+IC，且IBIC。表明由晶体管发射区发射的电子绝大多数通过基区到达集电区，只有少数电子在基区与空穴复合，这就是晶体管的电流分配关系。 当基极电流IB有一变化量ΔIB时，集电极电流IC和发射极电流IE也有相应