第五章能量淀积(2013).pptVIP

第五章 能量淀积分布理论和辐射损伤 在离子注入基本物理过程的定量描述中，人们感兴趣的两方面问题（粒子同固体发生相互作用的两方面）: 离子注入在靶内的分布（即射程分布）； 反冲核（靶原子）的行为及由此引起的注入层的损伤分布（能量淀积分布） 缺陷与损伤 晶体材料中的缺陷: 如果晶体中的某些原子不在其晶格平衡位置上或格点处出现原子空位（相对于完美晶格而言），我们就说晶体材料存在缺陷。 导致缺陷出现的诸多原因 由于外部因素的作用导致晶格缺陷的出现，我们就说出现了晶格损伤。 辐照损伤（宇宙射线、β射线、γ射线、电子束、光束、中子束、离子束） 离子辐照损伤：因离子注入过程造成的材料结构损伤 固体中的一般缺陷 缺陷种类 1. 点缺陷（0维缺陷）：空位、间隙原子、杂质、及其积团（如空位团） 2. 线缺陷（1维缺陷）：位错（刃型位错、螺型位错、棒状位错） 3. 面缺陷（2维缺陷）：晶界、相界、堆垛层错等 损伤与能量淀积 离子辐照损伤最基本的形式：移位原子 损伤与能量 离子辐照损伤过程：始终伴随着能量的传递 能量的传递与分布行为（能量淀积） 损伤分布 能量淀积分布理论，是讨论能量淀积按空间分布的理论，是定量讨论离子注入物理过程的另一个重要问题。 七十年代初，winterbon, sigmund, sanders等人提出和发展。