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高电压工程基础 复习要点 根据外界给予原子或分子的能量形式的不同,电离方式课分为热电离、光电离、碰撞电离和分级电离。 SF6气体含F,其分子捕获电子的能力很强,属强电负性气体。空气中的O2与H2O也有一定的电负性。 间隙中电离过程只靠外施电压已能维持,不再需要外电力因素了,此时的放电称为自持放电。自持放电的条件为: 放电由非自持向自持转化的机制与气体的压强和长度的乘积有关,乘积较小时可以用汤逊理论来解释,而乘积较大时( pd26.66kPa )要用流注理论来解释。 电子崩形成过程及其示意图 2. 气体放电的基本物理过程 汤逊理论认为二次电子的来源是正离子撞击阴极使阴极表面发生电子逸出。 均匀电场中自持放电的条件。 气隙击穿电压是气压和间隙乘积的函数,这一规律称为巴申定律。根据巴申定律,随着气压和间隙乘积的变化,击穿电压出现极小值。 流注理论认为,二次电子的主要来源是空间的光电离。 什么是不均匀电场中放电的极性效应。 画图说明不均匀电场(正极性)中放电的极性效应。 3. 气体间隙的击穿强度 均匀电场中空气间隙的击穿强度约为30kV/cm。 标准雷电冲击波的波形参数?1.2/50us;操作冲击波的波形参数? 250/2500us。 50%放电电压和伏秒特性的定义。 同一间隙的50%冲击击穿电压与稳态击穿电压之比,称为冲击系数。 均匀电场和稍不均匀电场的冲击系数接近1,极不均匀场的冲击系数大于1。 大气中间隙的放电电压随空气密度的增大而提高。 在极不均匀电场中,空气中的水分(湿度增大)能使间隙的击穿电压有所提高。 随着海拔高度增加,外绝缘的放电电压将下降。 SF6气体绝缘设备中经常遇到的是稍不均匀电场间隙。 SF6气体在极不均匀电场中击穿的异常现象:一是击穿电压随气压的变化出现驼峰现象;二是在驼峰气压范围内,雷击冲击击穿电压明显低于稳态击穿电压。 4. 气体中沿固体绝缘表面的放电 在均匀电场中固体介质的引入并不影响电极间的电场分布,但放电总是发生在界面,且闪络电压比空气间隙的击穿电压要低得多。 理解套管沿面放电发展过程。理解套管沿面放电的等值电路图。 要提高套管的电晕起始电压和滑闪放电电压可以采取:一减小比电容:增大固体介质厚度,加大法兰处外套管的外径,采用瓷-油绝缘代替纯瓷介质;二减小绝缘表面电阻:套管附近靠近法兰处涂半导体釉。 330kV绝缘子柱采用均压环来改善电压分布。 330kV及以上的悬式绝缘子串一般也装有均压环,以改善沿绝缘子串的电压分布。 长绝缘子串的电压分布为何不均匀(由于绝缘子的金属部分与接地的铁塔和高压导线间有杂散电容引起的) 理解用电容链分析绝缘子串中各绝缘子承受电压的不均匀分布情况。 绝缘子串中靠近导线的绝缘子的电压降最大。 在介质表面未发生凝露的情况下,空气中绝对湿度增大,绝缘子沿面闪络电压会略有提高。但介质表面发生凝露时,则沿面闪络电压将明显下降。 污闪的定义。理解污闪的发展过程。 等值盐密的定义。爬电比距的定义。 防止污闪的措施。 5. 液体与固体介质的击穿。 影响液体介质击穿的4个因素。气体小桥理论。 固体介质击穿的三种形式。击穿理论和影响因素。 理解介质中局部放电过程及其等值电路图和发生局部放电时气隙上的电压变化图。 介质中气隙两端的电压变化与气隙电容的乘积为气隙局部放电的真实放电量;气隙放电时试品上的电压变化与试品电容的乘积为局部放电的视在放电量。进行局部放电测量的是视在放电量。 老化的定义。老化的原因。 6. 电气设备绝缘的预防性试验 绝缘缺陷分类:集中性缺陷和分布性缺陷。 预防性试验分类:破坏性试验和非破坏性试验。 什么是介质的介电常数。 固体介质极化的5种形式。哪种极化不消耗能量,。 什么是介质损耗。 理解为什么不用介质损耗而用介质损耗角正切表示介质品质好坏。 吸收现象和吸收比的定义。 对于不均匀的试品,如果绝缘状况良好,吸收比远大于1,如果绝缘严重受潮,吸收比接近1。 绝缘电阻和吸收比是反映绝缘性能的最基本的指标之一,通常用兆欧表(俗称摇表)进行。规定所加电压60s后测得的数值为试品的绝缘电阻。 介质损耗角的正切的含义:是在交流电压作用下,电介质中的电流有功分量与无功分量的比值,是一个无量纲的数。在一定的电压和频率下,它反映电介质内单位体积中能量消耗的大小,它与电介质的体积尺寸大小无关。 。 测量tg?值,最常用的方法是采用西林电桥 。 理解西林电桥的基本原理,画出西林电桥原理接线图。 反接法:被试品的一端C接地,D点和屏蔽网接高压,调节臂、检流计和屏蔽网处于高电位,注意测试人员的安全。 局部放电的检测参数有那些。 局放的检测方法有哪些。目前采用电脉冲法测量局部放电。 画出电脉冲法测量局部放电的三种基本回路。 变压器内部存在裸金属部分局部过热,变压
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