330kVSF6电流互感器电场计算及绝缘结构分析.pdfVIP

维普资讯 第 38卷 蒡4期 壹压嚣 Vol38 No．4 21)01年 4月 刃列^豳 城 April 200l 330kVSF6电流互感器电场计算及绝缘结构分析 罗青林 ，刘玉凤 (1．沈阳变压器有限责任公司，辽宁沈阳 110025；2．沈阳沈变互感器制造有限公司，辽宁沈阳 110135) 摘要 ：根据SF6气体绝缘电流互感器的产品结构方案，计算了筒化结构模型的三雏电场分布，给出了不同截 面 电位劳l布匿形 ．确定出奇理 的330kVSF~气体绝缘 电流互感嚣绝缘结构形武和结构尺寸 ．指 出只要选定台适 的 截面，二维场计算结果与三蛙场计算结果差异很小．在工程上可采用二维场计算 以缩短设计周期。 关键词 ：电流互感器；气体绝缘；绝缘结构 ；电场 ；计算 中图分类号 ：TM452．O11 文献标识码 ：A 文章编号 ：1001—8425f2001)04—0016—04 1 前言 硬件资源，因此工程上很少采用三维电场对实际产 近几年来，以SF,气体作绝缘介质的电流互感 品的结构进行优化计算 。计算三维 电场的目的是寻 找适当的二维简化方法 ，并用该方法来获得满足工 器颇受国内用户的青睐，国内已有许多厂家生产这 程要求的近似解。由于本文只讨论支撑绝缘子屏蔽 种互感器 该绝缘介质的电流互感器均为倒立式结 罩表面的三维电场计算 ，因此支撑绝缘子内部上 、下 构 ，即低 电位的二次绕组位于产品顶部高电位的一 嵌入式电极均忽略不计，相贯壳体 的过渡圆弧也忽 次绕组和壳体之间。一次绕组和二次绕组构成 同轴 圆柱体 电场，对应 SF,气体 绝缘的一次绕组一二次 略不计。计算模型如图 1所示 。 绕组 互感器壳体 ，电位分布呈现为高压～低压一 高压结构 ，可以采用二维轴对称场对各部位的电场 强度进行分析。二次引线经过低 电位的引线屏蔽管 引至下部的底座。为改善壳体与引线管间的电场分 布，在瓷套与壳体连接处的瓷套内部放置屏蔽罩 。 该屏蔽罩与二次引线管间也形成 同轴圆柱体电场。 相对来说 ．一般轴对称场的计算 比较简单 ，这里不再 过多说明。 由于二次绕组和它的引线屏蔽管垂直正交，它 们与壳体之间形成较复杂的三维电场 。因此不能简 b) 单采用二维场对该部位的电场进行分析计算。本文 圈 1 三维计算模型示意图 应用引进的美 国ANS,OFT大型电磁场仿真软件包对 该部位结构模型的三维 电场进行 了简化和分析计 图1a是包含互感器壳体的视图，图 1b则为去 算。通过计算得到了各截面下的电扳表面最大电场 掉互感器壳体后的视图。图1b只显示内部绕组布 强度值，并给出了不同截面的电位分布图形 。同时， 置 ，而非单独计算模型。在三维计算模型中，二次引 应用 ANSOFT软件包对不同截面进行了二维电场计 线屏蔽管表面、二次绕组外表面和支撑绝缘子屏蔽 算。通过对三维电场计算结果和二维电场计算结果 罩均为低 电位，一次绕组、壳体和屏蔽罩均为高电 进行比较，认为只要选定适当的截面 ，在工程上可以 位。考虑到SF,气体的绝缘特性 ，St,电流互感器产 采用二维场对该产品结构的电场分布进行计算 。通 品的绝缘结构主要由试验条件下的冲击电压分布确 过采用二维分析方法可 以大大缩短对电场的计算时