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光学电压互感器的设计和试验

维普资讯 第 27卷 第 6期 电 网 技 术 、,_01.27No.6 2003年 6月 PowerSystem Technology Jun. 2003 文章编号:1000.3673(2003)06.0045.03 中图分类号:TM451 文献标识码:A 光学电压互感器的设计和试验 肖 霞,叶妙元,陈金玲,徐 雁 (华中科技大学电气与电子工程学院,湖北省 武汉市430074) DESIGNANDTESToFo rICALVoLTAGETRANSFoRⅣ【ER XIAO Xia,YEMiao—yuna ,CHENJin·ling,XU Yna (CoHegeofElectricalandElectronicEngineering,HuazhongUniversityofSciencenadTcehnology, Wuhna 430074,HubeiProvince,China) ABSTRACT:Theopfic~voltagetransformer(OVT)basedon 备的电磁干扰;③采用光纤使绝缘大为简化,提高 PockelseffcetofBi4Ge30l2crystalisdeveloped.Thestructure 了性价比,从而使其在电压等级高于 100kV时更具 ofOVT andtheprincipleofsensoraledescribedinthispaper. 有经济性;④减轻了互感器的重量:⑤光电互感器 Thetempe raturestabilityandtimestabilityofsensoraretested. Th eaccuracyofsensoriswithintherangefrom -0.4%to0I4% 比传统的互感器具有更宽的频带;⑥光电互感器的 whilethetemperaturerangeisfrom 0*C tO+4512,andwithin 输出信号很容易与计算机接 口,并且对于数字保护 therangefrom --0I3% Ot 0I3% whilehtetimeintervalis20 类的设备更容易进行电气操作。 days.220kV OVT prototypehaspassedhtetypetestssuchas 笔者开发了基于一次电光效应原理的光学电 accuracy, capability of nisulator nad hte elcetromagnetic 压互感器系统 ,对从光纤传入光学 电压互感器 compatibility.Th eresultshowsthatOVT prototypemeetshte (OVT)的入射光进行了调制,对 电场敏感的光 expectantspceification. 学晶体可完成此调制 。 KEYWORDS:Opticalvoltagetransformer(OVT);Pockels effect;Elcetromagneticcompatibility (EMC) 2 O、,]r的设计 摘要:开发了基于 Bi4Ge0,晶体的Pockels电光效应的光 OVT系统主要包括三个部分:①确保内外绝 学电压互感器 (OVT),阐述了 OVT 的结构设计、传感头 缘的高压部件,即电极;②光学传感部分,包括 的工作原理及其结构。对传感头进行了温度稳定性和时间

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