一种新颖不带电阻的基准电压源电路设计.pdfVIP

谭炜锋等：一种新颖不带电阻的基准电压源电路设计 一 种新颖不带电阻的基准电压源电路设计 谭炜锋 ，刘辉华 (电子科技大学 电子科学技术研究院 四JII成都 610054) 摘 要 ：基于标准SMICo．18bLmCM0S工艺，设计一种低温漂、高精度基准电压源，该 电压源是根据两个工作在饱和区 的NMOS管的栅源 电压差原理 ，产生一个与绝对温度成正比 (PTAT)的 电流 ，利用它对 NM0S晶体管 的阚值 电压进行补 偿 ，得到该电压源。此基准电压源电路仅使用 NMOS和PMOS晶体管来实现 在一4O～+80℃的温度变化范围内，它的温 漂 系数约为 6．12ppm／℃ 。 关键词 ：PTAT电流；弱反型NMOS；二极管连接 NMOS；阈值 电压 ；基准电压 中图分类号 ：TN710 文献标识码 ：B 文章编号 ：1004—373X(2009)14—188—03 DesignofaNovelNo——resistorVoltageRefrenceCircuit TAN W eifeng，LIU Huihua (ResearchInstituteofElectronicScienceandTechnology，UniversityofElectronicScience TechnologyofChina，Chengdu，610054，China) Abstract：BasedonSM IC 0．18 m CM0S，alow —temperatureandhighprecisionvoltagereferenceisdesignedwhichcan getaPTAT currentby usedtwodifferentNM0SVgswhichwork insaturate．Thecurrentcan beused to compensatethe thresholdvoltageofNMOS，inordertOgetthevoltagesource．TheCM0SvoltagereferencecircuitisconsistedofNM0Sand PMOStransistors．Itsaveragetemperaturecoefficientisabout6．12PPM ／℃．Therangeofthetemperatureisfrom 一4O～+ 8O℃ ． Keywords：PTAT current；weak inversionNMOS；diode—connectedNMOS；thresholdvoltage；voltagereference 其输出电压 。可 以表示为 ： 0 引 言 随着集成电路 的发展 ，一个高稳定、高精度 的基准 V。一 n『+ 。]+△ (1) 电压源变得越来越重要。特别是在 D／A，A／D转换 以 式中：U 一kT／q；k为波尔兹曼常数 ；△ 表示实际中 及 PLL电路中，温度稳定性和精度之间关系到整个 电 晶体管失配引入 的误差，是个常数，这里忽略它的影响。 路的精确度和性能。 由此得到： 当今设计的基准电压源大多数采用 BJT带隙基准 V。一 n1+ ] 电压源结构 ，以及利用 MOS晶体管的亚阈特性产生基 从式 (2)可 以看 出，工作在弱反型 区的两个 MOS 准电压源；然而 ，随着深亚微米 CMOS工艺的发展，尺 管串联 ，可 以得 到一个 与温度成正 比例关系 的输 出 寸按 比例不断缩小 ，对芯片面积 的挑战越来越严重 ，双