SiC(001)表面重构与多型体的第一性原理分析研究.pdfVIP

摘要 SiC是一种极具潜力的第三代宽带隙半导体。由于它具有宽带隙、 高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速率等优点，在高温、 高频、高压、高功率和抗辐射微电子器件中有着重要的应用。随着理 论研究的不断深入及实验技术的不断提高，对SiC表面原子和电子结 构的理论和实验研究也引起了人们极大的兴趣。 本研究以国内外已有的研究成果为基础，参考大量文献，针对现 有的研究工作中存在的不足和问题，通过广义梯度近似的密度泛函理 重构模型的原子与电子结构，进一步确定其表面结构的真实构型。 3C-SiC(001)表面是极性表面，采取H原子钝化的层晶超原胞模型。 几何构型、晶格常数、能带结构、价带宽度、基态密度等结构特性参 量，并与实验数据对比分析模拟方法与结果的正确性。 二聚体结构，二聚体Si原子问键长为0．232nm，键的扭曲为0．Olinm； 电子结构计算结果表明，在费米能级处有明显的态密度，‘表面呈金属 性。在带隙附近存在四个表面态，一个位于费米能级附近，一个位于 费米能级以上5eV处，另外两个位于费米能级以下的价带中。在带隙 及带隙附近我们发现了四个明显的表面能带，分别由仃键构成的成键 态和反键态，万键构成的成键态和反键态组成。 该表面为对称性的C二聚体结构，二聚体C=C双键