(5-6)LED制作与封装1.ppt

学习单元2 LED的制造与封装;2.1 LED的衬底材料 ;1. LED衬底材料的选择要求 ;2. LED衬底材料的种类;蓝宝石衬底;硅衬底? ? 目前有部分LED芯片采用硅衬底。硅衬底的芯片电极可采用两种接触方式，分别是L接触和 V接触。通过这两种接触方式，LED芯片内部的电流可以是横向流动的，也可以是纵向流动的。由于电流可以纵向流动，因此增大了LED的发光面积，从而提高了LED的出光效率。因为硅是热的良导体，所以器件的导热性能可以明显改善，从而延长了器件的寿命。 ;2.2 LED外延工艺技术;*;对LED芯片外延材料的基本要求及选择考虑通常有以下几点： 1.要求有合适的带隙宽度Eg 2.可获得高电导率的P型和N型晶体，以制备优良的PN结 3.可获得完整性好的优良晶体 4.发光复合概率大;2.几种主要的外延材料 ;3 LED芯片的外延技术及外延设备;2）MOCVD设备; 外延片在光电产业中扮演了一个十分重要的角色，而MOCVD外延炉是制作外延片的不可缺少的设备。有些专家经常用一个国家或地区有多少台MOCVD外延炉来街量这个国家或地区光电行业的发展规模，这巳充分说明了MOCVD外延炉的重要性。根据生长的需要，MOCVD外延炉一次可以制出11片或15片外延片，有时也可以制出24片外延片。 ;4.外延技术和设备的发展趋势 ;2) 外延设备的发展趋势 ;2.3 LED的芯片技术;1 优化芯片发光层能带结构 1） 双异质结; 2） 量子阱结构;高亮度LED所采用的发光层结构及其外量子效率 ;2.提高光引出效率的芯片技术;1）在芯片与电极之间加入厚窗口层;2）剥离与透明衬底技术;3) 双反射(DR)和分布式布拉格反射(DBR)结构 ;4) 倒装芯片(Flip-chip)技术;5 ) 表面粗糙化纹理结构 ;6) 微芯片阵列;3.电极及电流扩展技术 ;新型高效率LED与传统LED的结构比较 ;LED芯片电流的扩展