多个功率MOSFET器件并联的固体开关设计研究.pdf

第二届全国信息与电子工程学术交流会暨第十三届四川省电子学会曙光分会学术年会论文集 215 多个功率MOSFET器件并联的固体开关设计 张良。刘承俊 (中国工程物理研究．院流体物理研究所，四川 绵阳，621960) 的驱动电路．单个功率MOSFET器件在漏源极电压为788 9V得到了6ns的前沿．通过精心布线，以 此驱动电路进行的6个功率MOSFET器件并联的实验，开关导通时间的不一致性小于0．Sns，为采用 功率MOSFET器件作为脉冲功率源奠定了基础． 关键词MHz重复频率MOSFET固体开关 SolidStateSwitch PowerMOSFETs DesignUsing InParallel ． Connecting ZHANG Cheng-jun Dang，LIE 621900,西抽甜 (InstituteofFluMPhysics,CAEP,Mianycmg Abstract：AdrivercircuitforRF MOSFETDE375·102N12ofIXYS hasbeen power Companydcsi印ed Theivercircuitis ofalevel driveranda MOSFET composed shifting totem-poledriver．Singlepower get telfl-on a6us timewhile788．9Vbetweandrainandsource．In of6MOSFETs in experiment connecting wimthisdrivercirc血the tllnl．．ontimeislessthan0．5ns．Someusefulresultsfor parallel asynchronous got state laterworkOll source MOSFETassolid switch． pulsepower usingpower Words：MI-Iz stateswitch Key repetition；MOSFET；solid 1引言 高重复频率的脉冲功率源是脉冲功率技术的研究热点之一，在加速器、高功率微波、汽车电子 等军用、民用领域有潜在的应用前景。高重复频率的开关技术是其中的关键技术。目前，能在兆赫 兹重复频率下工作的开关主要是采用固体功率电子器件．适合使用的功率电子器件有金属氧化物半 能力、低触发能量、脉宽可调的特性，高电压、高平均功率的圆体开关一般由大量的功率电子器件 ·作者简介：张良(198205．)，男，福建平潭人，硕士研究生，主要从事加速器脉卉功率系统领域的研究工作．四 川绵阳919信箱106分箱．621900．(0816)2484140．cmaih1i∞gzh@usic．edu 216 多十功率MOSFET器件并联的固体开关设计 构成。构成的固体开关具有高重复频率、脉宽可调、长寿命、