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拓扑绝缘体Bi_2Se_3单晶体的研究进展_吕莉精选
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拓扑绝缘体 BiSe 单晶体 的研究进展 吕 莉等 · ·
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拓扑绝缘体BiSe 单晶体的研究进展*
2 3
, , , ,
吕 莉 张 敏 杨立芹 羊新胜 赵 勇
( , , )
西南交通大学超导与新能源研究开发中心 材料先进技术教育部重点实验室 成都 610031
,
摘要 拓扑绝缘体是当 前 凝聚态物 理和 材料 科学研究的 热门课题 其 独 特的电子 态结构使其在 自旋电子器件
和量子 计算机等领域 拥 有 巨大的应用潜力 。 阐述了 拓扑绝缘体 BiSe 单晶 的制备方法 ﹑输运性质 以及 表面调控 效
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; ,
应等方 面的最近进展 总结 了各 种 化 学 掺 杂方 法 对 BiSe 费 米 能 级 的 影 响 同 时展 望 了今 后 BiSe 的 研 究发 展 方
2 3 2 3
向 。
关键词 拓扑绝缘体 晶体生长 BiSe
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中图分类号: 文献标识码:
O4 A
RecentAdvanceinTo oloicalInsulatorBiSe BulkCrstal
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Ke Laborator ofAdvancedTechnolo ofMaterials Ministr ofEducation Su erconductivit andNew Ener
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