四探针法在半导体测试技术中的应用研究.pdf

第二十届中国(天津)’200(IIT、网络、信息技术、电子、仪器仪表创新学术会谈 四探针法在半导体测试技术中的应用 谢莉莉，汪鹏 (天津职业大学天津300340) 摘要：本文对测量半导体样品电阻率的四探针法进行了介绍，详细讨论了直排四探针法和双电测四探针法的 测量方法并给出了相应计算电阻率的公式，给出了直排四探针法厚度修正公式，比较了两类方法的优缺点． 关键词：电阻率；四探针法；厚度修正 中图分类号：TN30407文献标识码：A 1引言 特别是微区的电学特性及其均匀性已经成为决定器件质量的关键因素。 半导体器件设计与制造的核心问题是如何控制半导体内部的杂质分布，以满足实际应用所要求的器件 参数。因此，杂质分布的测量是半导体材料及器件的基本测量之一。不同半导体器件其材料的掺杂浓度有 很大差别，不同工艺法所掺杂的浓度亦有很大差别。在一定条件下，半导体材料的掺杂浓度和半导体材料 的薄层电阻率有直接关系。因此可以通过测量不同薄层的电阻率测出半导体材料的杂质分布。 目前半导体电阻率的测量可以采用三探针法、四探针法和扩展电阻方法等，四探针法是当前应用最广 泛的测量半导体器件薄层电阻率的方法Ⅲ。本文将对典型四探针法的原理、优缺点进行讨论，另外介绍一 种新型的四探针测试仪。 2四探针技术综述 四探针测试方法按测试次数可以分为常规四探针法和双电测四探针法。这两种方法的区别在于前者进 行一次测量，而后者对同一被测元件采用两次测量。 按照四个探针的位置，四探针法可分为直线四探针法和方形四探针法(矩形四探针法)。矩形四探针 法又分为竖直四探针法的和斜置四探针法。微区和微样品薄层电阻的测量多采用矩形四探针法，因为矩形 四探针法具有测量较小微区的优点。 的范德堡法口1等。不管是什么方法，都对被测样品的面积和厚度等因素有一定的要求，有些情况下需要考 虑边缘效应和厚度效应等问题，并进行修正。 下面我们对常规四探针法和双电测量法的原理及优缺点进行讨论。 2．1常规四探针法 如图1所示，常规四探针法是将四个探针直线分布于样品表面上，在外侧探针(1、4探针)上施加恒 定直流电流I(mA)，用高精度的电压表测量中间探针(2、3)的电压V(mv)。 第二+届中国(天津)’2006 IT、网络、信息技术、电子、仪器仪表创新学术会议 如果样品的尺寸与探针间距大小相比可视为无限大，则被测样品的电阻率计算公式为： 畔船等 其中s是相邻探针的间距。 如果样品尺寸与探针间距的比值不能视为无限大，则需要对上式进行修正。 采用常规四探针法进行测量时，需要注意以下几点： a)测量值的修正。当被测样品不是很大时，需要考虑两组修正因子，样品真实电阻率与测量值的关 系可以用下式表示： P=E疋p实际电阻率脚 Fl为考虑边缘效应的修正因子，F2为考虑厚度效应的修正因子。 一般情况下我们可甜控制片子的直径与探针问罡叵(s)的比值大于40：J●一般片子直径是40mm)：样品厚 度大于5倍针距，此时边缘效应的修正因子和厚度效应的修正因子均为I，也就是不需要修正。 如果厚度修正不能被忽略，那么修正的方法如下： j．土 厚度W 田l经典四探针法厚度彦正 设a=W／S(W为样品厚度，S是探针平均间距，如图所示)，则用常规四探针法测量电阻率的公式是由 两个途径得到Ⅲ： (1)由厚块原理： p：2嬲孕．Yo(Ⅱ)(1) (2)由薄层原理： p2鲁。三1n2肌椭)(2) ． 其中修正函数Ma)，f4(a)的表达式为： 舯H1+嘻‘丽1一丽1)]_1 ’ 1 ，40)=--‘ln2·fo(Ⅱ) 分析两个函数的曲线可知，它们在a0=1．386处相交，在ao两侧两个函数的变化幅度不一样，在a0左 a>1．386时应用公式1。 b)