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电子测量与仪器学报 2005年增刊
含RAM电路的故障模拟方法研究
楚丽娜孙百生
(1北京邮电大学自动化学院北京1000832北京邮电大学北京100083)
摘要:提出了一种用于含RAM电路的故障模拟方法。如果电路有m个目标故障,用于模拟的计算机字长为n位,则该法把
个目标故障的故障效应,称为虚拟故障RAM),每个虚拟故障RAM存储固定的n个故障的故障效应。该方法还扩充了时序电
路故障模拟中关于多事件故障模拟的定义,使之适用于含RAM的电路。并给出了相应的新的多事件故障识别和模拟方法,最
后用实验电路的模拟结果验证了方法的正确性。
关键词: 故障模拟含RAM电路虚拟RAM多事件故障模拟
RAM
AFaultSimulationMethodf.oraCircuitwith
Study
ChuLinaSun
Baisheng
fault methodforcircuitwithRAM.Itassumesthatthecircuithasm
Abstract:Thisintroducesa simulation a faults,
paper objective
method therealRAMasl+rm/rtlvirtual isthe
andthe word forsimulationis this will
length n-bit,then map RAMs(1
computer’S
call
normalsimulationresultof iScalledasvirtualnormal calledasviaualfault store
RAM,which RAM:r州xal RAM,which
of n
thefaulteffectofthisRAMonmobjective virtualfaultRAMcanstorethefaulteffectfixedfaults.What’S
faults).each
methodalso the ofmulti-eventfaultsimulationin circuitfault orderto
more,this extendsdefinition simulation,in
sequential apply
methodsformulti-eventidentificationand
incircuitswithRAM.Inaddition.this andnew fault
paperprovidescorresponding
thesimulationresults
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