射频磁控溅射法生长Mg01Zn09OAl紫外透明导电膜性质研讨.pdfVIP

三变型兰：型塑蹩丝塑塾鎏竺篓坚墅：!墅!：!!釜!茎堑望翌呈皇壁丝星堑壅 !!! 王永利1，马瑾1，葛松华2，冯先进1，杨帆1，刘汝军3马洪磊1， 3．济南大学成教学院，山东济南250022) 摘 要： 用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备了 频电源的频率为13．56MHz。溅射靶为M901Zno90：A。l M助lZn090：A1薄膜，衬底温度由30℃变化到230℃。X lZno90：A1薄膜为单相六角纤锌 射线衍射结果表明Mgo 矿结构，具有(002)择优取向，衬底温度为180。C时 90：AI薄膜的电阻 质量的3％。实验中使用氩气(99．999％)作为溅射气体， 制备薄膜的结晶程度较好。M90lzno 率约为9．0×10。Q cm，在可见光范围内平均透过率 村底与靶间的距离为4cm。溅射功率为100W，溅射时 62eV。 达到85％，制备薄膜的带隙宽度约为3 间30min，溅射时氩气的压强保持为2．0Pa，衬底温度 关键词： MgZnO薄膜：射频磁控溅射：透明导电膜 由室温(30℃)变化到230℃。 TN 中图分类号： 304．2：TN304．055文献标识码：A D／Max-Y 用Rigaku B型射线衍射仪测定样品的结 文章编号：1001-9731(2006)增}lJ-0271-02 构特性，射线为cuK 型双束紫外可见分光光度计测量样品的室温光透射谱。 1引言 用Model2010棱镜耦合仪测量薄膜的厚度。用Vander 最近几年，由于紫外及深紫外光电子器件广阔的应 Pauw方法测量了样品的电阻率、载流子浓度和霍尔迁 用前景，宽带隙半导体材料的研究成为热点【1】。ZnO为 移率。 直接带隙半导体材料，对它已经进行了全面的研究，但 3结果与讨论 是其带隙宽度仅为3．3eV。Sn02材料的带隙宽度可达 3．6eV左右，但是由于其化学性质非常稳定，难以腐蚀， 不易于制作器件。ITO是目前广泛使用的一种制作TCO 的材料，然而，冈为其存在IH扩散问题，也不利于制 90：A1薄膜具有单相六角纤锌矿结构，没 到的MgolZno 作器件。另外，In在自然界中含量较少．成本相对较高。 IZno90：AI薄膜的择优取向 有明显的MgO分离相。Mgo 平行于与衬底垂直的C轴。不同衬底温度下生长的 MgZnO是一种新型的半导体材料，由于M91+(0．057nm) 90：AI薄膜的(002)衍射峰位置没有显著变化， 半径与zn”(0．060nm)半径相近，Mg离子替代品格中的MgoIZno zn离子后不会引起晶格常数明显变化”l，通过改变Mg在2口=34．610。处，表明c轴晶格常数基本不变。村底 和Zn的比例，其带隙可以从3．3eV增加到3．99eV，而温度升高，薄膜结晶变好。衬底温度为180。C时，衍射 峰有摄小的半高峰宽，此时薄膜的品粒最大，结晶程度 晶格常数的变化仅为1％口1。对MgZnO进行掺杂，可以 改善其导电性【”。由此可见，MgznO紫外透明导电膜，虽好。