射频磁控溅射法制备BST铁电薄膜的工艺研讨.pdfVIP

射频磁控溅射法制备BST 铁电薄膜的工艺研究† † 毕振兴 张之圣 胡 明 （天津大学电子信息工程学院电子科学与技术系，天津 300072 ） 摘 要：应用射频磁控溅射方法，利用快速热退火（RTA ）工艺，制备出了具有良好铁电性能的 (Ba0.7Sr0.3)TiO3 (BST) 铁电薄膜。通过对BST 铁电薄膜的厚度、XRD 图谱、SEM 图像和电滞回线进行分析，优化了制备BST 铁电薄膜的 工艺条件。研究表明要想得到单一钙钛矿结构的BST 铁电薄膜，退火温度要高于 800℃。氧气气氛的通入有利于降 低BST 薄膜的矫顽场强并提高其饱和和剩余极化强度,提高铁电性能。 关键字：射频磁控溅射；钛酸锶钡；钙钛矿相；快速热退火 1 引 言 由于钛酸锶钡材料具有高的介电常数、低的介电损耗以及室温下很好的可调性，所以其薄膜常 [1,2] 被选用于高频敏感微波器件 ，例如：移相器、振荡器、各种探测器和可调性滤波器等，成为近年 来铁电薄膜材料领域研究的热点。溅射法是制备BST 铁电薄膜最常用的方法，其中又包含反应溅射 [3] [4] 法 ，射频磁控溅射法 等。因为溅射工艺与半导体集成电路工艺完全相容，并且具有较好的薄膜质 量，所以用溅射法制备铁电薄膜一直受到人们的重视。然而溅射工艺较复杂，而且相关工艺参数， 如溅射气氛、退火温度、沉积速率等，都会影响薄膜的质量。因此，有必要掌握各种工艺参数对成 膜过程的影响。本实验应用射频磁控溅射方法制备BST 铁电薄膜，对制备过程中的各种参数和薄膜 特性进行分析，总结出了一套对于BST 铁电薄膜较为成熟的制备方法。 2 实 验 采用DPS-Ⅲ型超高真空对靶磁控溅射镀膜机在 SiO /Si 基板上沉积Pt/Ti 底电极，沉积工艺参数 2 为：Ar 气氛，工作压力为2.0Pa ，基板温度为25 ℃，溅射功率分别为75W （Pt ）、40W （Ti），沉 积时间分别为7min （Pt 层）、15min （Ti 层）。采用射频磁控溅射法在Pt/Ti/SiO /Si 基板上沉积 BST 2 -4 铁电薄膜，工艺参数为：本底真空 2.0×10 Pa ，工作气压 2.0Pa ，气体流量 25ml/min ，衬底温度 250 ℃，溅射功率40W 。采用快速热处理（RTA）方式进行20min 退火。其它的工艺条件如表 1 所示。 在已经溅射好的BST/Pt/Ti/SiO /Si 基片上，在Ar 气氛、2.0Pa 工作气压、25ml/min 流量以及40W 2 功率下，使用掩膜并采用直流对靶磁控溅射的方法制备Pt 上电极。 采用 D/MAX-2500 型 X 射线衍射仪进行薄膜的物相分析，Cu 靶，管电压为 40kV，管电流为 100mA，扫描速度4°/min 。采用PHILIPS XL30 型环境扫描电子显微镜（ESEM）测定了薄膜的表面 形貌，采用DEKTAK6M 型面形貌分析仪测量薄膜的厚度。采用TH2611 型电容测量仪和TRC-2 型 准静态电滞回线测量仪分析薄膜的电学性能。 † 985 学科建设项目 † 作者简介：毕振兴（1982～ ），男，硕士。从事半导体工艺及电子功能材料研究 96 表1 射频磁控溅射制备BST 铁电薄膜的工艺参数 样品号 靶材 基片 O /Ar 比例 溅射时间h 退火温度℃ 2 1 BST Pt/Ti/SiO /Si 0 3 800 2