国家标准硅片和硅锭载流子复合寿命的无接触微波反射光电.docVIP

国家标准《硅片和硅锭根据国标委综合[2014]89号文件《关于下达2014年第二批国家标准修制定计划的通知》，由有研半导体材料有限公司主要负责的国家标准《》的工作。 3.项目承担单位概况 有研半导体材料有限公司，原名有研半导体材料股份有限公司。是由北京有色金属研究总院（简称“有研总院”）作为独家发起人设立的股份有限公司，成立于1999年3月，并在上海证券交易所挂牌上市（股票简称“有研硅股”），主营半导体材料。2014年3月，有研总院决定将主营业务扩展为半导体材料、稀土材料、高纯/超高纯金属材料以、光电材料的研发、生产和销售，因此更名为有研新材料股份有限公司。2014年11月，根据有研总院的决定，硅材料板块的全部资产和业务从有研新材料股份有限公司中剥离到有研总院控股的有研半导体材料有限公司，继续继续硅材料的生产、研发和销售，至此更名为：有研半导体材料有限公司。 该公司的前身是有研总院下属的硅材料研究室，建国以来，一直致力于硅材料的研发、生产，并承担了“九五”、“十五”“十一五”期间国家硅材料领域多项重大攻关任务和产业化工程，并支撑和带动了国内相关配套产业和技术发展。现已形成具有一系列具有自主知识产权的技术体系和产品品牌，目前主要生产5-8英寸硅单晶及抛光片，并一直开展12英寸抛光片的研发和生产。产品可用于集成电路、分立器件、太阳能等多个领域，远销美国、日本、西班牙、韩国、台湾、香港等地，在国内外市场具有较高的知名度和影响力。 4.主要工作过程 本项目在下达计划后，我们组织了专门的标准编制小组，进行了微波反射光电导设备、用户要求、相关标准应用的方面的调研和收集；在对SEMI MF1535-1015《》SEMI PV9-0611 《光伏硅材料过剩载流子衰减的无接触微波反射测试方 王昕，高英，楼春兰，邓浩 标准编制原则和确定标准主要内容的论据 编制原则 本标准起草单位自接受修订任务后，成立了标准编制组负责收集相关参考标准、市场需求及客户要求等信息，初步确定了该标准修订所遵循的基本原则和编制依据： 1）查阅相关标准和国内外客户的相关技术要求； 2）按照GB/T 1.1和有色加工产品标准和国家标准编写示例的要求进行格式和结构编写。 3）参照SEMI MF1535-1015《》SEMI PV9-0611 《光伏硅材料过剩载流子衰减的无接触微波反射测试方《硅锭》建议为国际一般水平。《》《》 YS/T 679 非本征半导体少数载流子扩散长度的稳态表面光电压测试方法 四、与我国有关的现行法律、法规和相关强制性标准的关系 《》 重大分歧意见的处理经过和依据。 无 标准作为强制性标准或推荐性标准的建议 建议本标准作为推荐性国家标准发布实施。 代替或废止现行有关标准的建议 无 其他需要说明的事项 1. 本标准的修订主要目的是进一步规范电子级硅片载流子复合寿命的微波反射光电导测试方法，有利于和国际先进标准接轨。同时对于太阳能级的产品，考虑测试原理是相同的，这次修订过程中，与会人员一致同意本标准的适用范围扩大到光伏用单晶硅片，多晶硅片，和的载流子复合寿命并对、、设备和样制备等做了相应的补充的如下： 名称更改为《硅片载流子复合寿命的无接触微波反射光电导衰减测试方法》 (2) 修改1.0适用范围：本方法也用于测试光伏用单晶硅片，多晶硅片，和的载流子复合寿命。 1.2被测硅片的室温电阻率下限由检测系统灵敏度的极限确定，电子级硅材料电阻率通常在（0.05-1）Ω·cm之间，光伏用硅材料电阻率通常在（0.05-10）Ω·cm之间。 1.3 本检测方法适用于测量0.25(s到1ms范围内的载流子复合寿命0.1(s到1ms范围内的载流子复合寿命。 SEMI AUX017 硅片、硅锭和硅块的无接触式载流子寿命测试 (4) 修改3.0术语和定义photovoltaic PV 硅块 brick 一个或者多个从硅锭中切割下方形的块状硅材料。 硅锭ingot 结晶工艺制成的，具有稍微不规则尺寸的，圆柱或方形固体硅材料。 (5) 修改5.0干扰因素 本方法不适于检测衰退时间＞10us的光伏级硅块和硅锭，这是由于载流子扩散到材料内部的深度超过微波光电导的检测深度。 (6) 修改6.0设备 6.1脉冲光源：激光二极管波长在0.9μm~1.1μm之间光源输出功率建议可调, 在脉冲作用期间使样片表面产生的光强介于2.5×1010和2.5×1015之间。 分析系统：适当的信号调节器和显示单元(有合适的时间扫描和信号灵敏度的真实或虚拟的示波器)（μs）μs）的0.2倍，显示单元应具有精度和线性都优于%的连续刻度的时间基准。 (6) 9.0 测试步骤： 9.2.1依据GB/T1550测定导电类型，依据GB/T6618或SEMI MF1530测定硅片中心点厚度，依据GB/T1552或G