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自旋电子学第四讲 自旋电子隧穿效应和磁性隧道结 本讲内容重点： 隧穿现象 STM 和自旋极化的STM 隧道磁电阻（TMR）效应和Julliere公式 1.1 隧穿现象 在两块金属（或半导体、超导体）之间夹一层极薄的绝缘层，构成一个称为“结”的元件。设电子开始处在左边的金属中，可认为电子是自由的，在金属中的势能为零。由于电子不易通过绝缘层，因此绝缘层就像一个势的壁垒，我们将它称为势垒。 隧道效应无法用经典力学的观点来解释。因电子的能量小于区域Ⅱ中的势能值U0，若电子进入Ⅱ区，就必然出现“负动能”，这是不可能发生的。 但用量子力学的观点来看，电子具有波动性，其运动用波函数描述，而波函数遵循薛定谔方程，从薛定谔方程的解就可以知道电子在各个区域出现的概率密度，从而能进一步得出电子穿过势垒的概率。该概率随着势垒宽度的增加而指数衰减。因此，在宏观实验中，不容易观察到该现象。 隧穿效应 计算穿透率 T 自由电子情况 结果： 简化： 位垒 与坐标无关， （1）强入射、弱势垒 入射能量 E接近 V0、 绝缘层很窄 (X2-X1)→ 0。 那么，I → 0；T→1。 电子的穿透(隧穿)。 （2）弱入射、强势垒 反之，E远低于 V0、 绝缘层较宽 。 那么，I → 很大；T→很小。电子受阻。 隧穿电流（Simmons 公式，1963） 计入 Fermi－Dirac 统计 (1) → (2) 电子 (2) → (1) 电子 隧穿电流 近似结果： 隧穿电流 ≈ 指数衰减部分×状态函数部分 其中，指数部分＝ F（势垒宽、高度，...） 状态部分＝ F（两个电极的性质,...） 几种隧穿现象 不同的“两电极性质”和“势垒、宽、高度” (近似!) 名称 势垒 电极 1 隧道效应 绝缘体 简单金属－I －简单金属 2 隧道磁电阻效应 绝缘体 铁磁金属－I －铁磁金属 3 扫描隧道显微镜STM 真 空 简单金属－V－待测样品 4 自旋极化STM 真 空 铁磁金属－V－待测样品 5 ......... 1.2 STM简介 将“M－I－M”结中绝缘体 (I）换成“真空”，就形成扫描隧道显微镜STM。 将Julliere“FM－I－FM”结中绝缘体（I） 换成“真空”，得自旋极化的STM。 这个结构在1995年被重新认识，提出自旋隧道结并发现隧道磁电阻效应 隧穿电流 隧穿电流 I ∝ 指数衰减部分×状态密度部分 隧穿电流I 的指数衰减部分为 是探针和样品表面之间的距离 STM的研制 1982年，IBM瑞士苏黎士实验室的葛·宾尼（G．Binning）和海·罗雷尔（H．Rohrer）研制出世界上第一台扫描隧道显微镜（Scanning Tunnelling Micro－scoPe，简称STM）．STM使人类第一次能够实时地观察单个原子在物质表面的排列状态和与表面电子行为有关的物化性质，在表面科学、材料科学、生命科学等领域的研究中有着重大的意义和广泛的应用前景，被国际科学界公认为20世纪80年代世界十大科技成就之一．为表彰STM的发明者们对科学研究所作出的杰出贡献，1986年宾尼和罗雷尔被授予诺贝尔物理学奖金． STM的基本原理 扫描隧道显微镜（STM）的基本原理正是利用量子理论中的隧道效应。将原子线度的极细探针和被研究物质的表面作为两个电极，当样品与针尖的距离非常接近时（通常小于1nm），在外加电场的作用下，电子会穿过两个电极之间的势垒流向另一电极。这种现象即是隧道效应。隧道电流 I 是电子波函数重叠的量度，与针尖和样品之间距离 S 和平均功函数 Φ 有关： Vb 是加在针尖和样品之间的偏置电压，平均功函数 ， 分别为针尖和样品的功函数，A 为常数，在真空条件下约等于1。扫描探针一般采用直径小于1mm的细金属丝，如钨丝、铂—铱丝等；被观测样品应具有一定导电性才可以产生隧道电流。 由上式可知，隧道电流强度对针尖与样品表面之间距非常敏感，如果距离 S 减小0.1nm，隧道电流 I 将增加一个数量级，因此，利用电子反馈线路控制隧道电流的恒定，并用压电陶瓷材料控制针尖在样品表面的扫描，则探针在垂直于样品方向上高低的变化就反映出了样品表