O激光束生长晶体.pdfVIP

用CO激光束生长晶体 1．引言 速度，就可确定晶体的直径。由于与固态物质 用激光束生长晶体是培育高纯晶体有前途 的体积相 比熔区很小，熔化的物质与结晶的物 的工艺。根据区熔法原理可获得成功 这 质迅速平衡，于是生长的晶体具有与母体相同 是培育各种极不相 同晶体，如激 光 晶体 (Nd： 的组分 (掺杂)。 YAG)、非线性晶体 (BBO)、半导体或高温超导 体的多用途方法。区熔法是为了解决采用坩埚 时出现的问题，首先是坩埚材料 的掺杂而发明 的。此外采用此法还能拉出具有极高熔化温度 的材料，而不需要坩埚材料。 与其他加热嵇 (如感应加热、电阻加热或 电 子束加热)相 比，激光加热法的优点是可聚焦性 好，功率范围大。此外，它可在任意生长温度下 采用。 以往激光区熔法只采用OOz激光器 “， 一 方面是 由于 目前市场上可提供 10kw 功率级 的Ooz激光器，另一方面是，Oo 激光能被特别 蹰 1 区熔 原理 感兴趣的氧化物强烈吸收。Eickhoff等人借助 辅助加热，采用400W 激光器长出直径达 5mm 3．单量拉制设备结构 的红宝石晶体 。Feigelson利用100W 002激 单晶拉制设备主要由三部分组成：晶体生 光器长出直径达 2mm 的晶化纤维 。 一 长炉、激光器和光束引导装置 以 操纵台 (图 由于oo 激光束的穿透深度小，其应用似 2)。 ： 。 乎限于生长直径几毫米的晶体。这里 oo激光 优点是波长较短，穿透深度较大。 下面描述的是用物理技术研 究所开 发 的 00微光器培育晶体的情况 19 及与采用o0t 激光器结果的比较 [8．7j。 2．区熔法 采用 区熔法时，一较小的易熔区视其长度 沿棒移动 (图1)。拉晶过程开始时，将母 如陶 瓷棒)在未固定末端加热．值至液滴形成为止， 围 2 单 晶拉制设备 结构 使生长晶体的单晶晶核浸投在液滴中。此时晶 晶体生长炉可 以抽空，以便能在不同的压 核和母体旋转，以保持均匀熔融，并慢慢 向下移 力、不 同生长组分的气氛下工作。装在炉内的 莉 ·l通过适当选择母体对生长晶体速度的跟踪 丝制机允许拉制逮度为。一1．5mm／min(o～9o · 18 · mm ／h)。旋转速度可从 0~200转 ／分变化。 O0 激光束在氧化物 中被几微米厚 的表面 O0激光功率可达 700W。在较小功率下， 层所暖救 (图4)。晶体中央必颓 由表面加热 区 激光器可工作几小时，功率波动约 士3％。为了 逮琏热棒导和热辐箭以魔燕交换熔融。表面也 进行 比较，我们还采用 了Trumpf公司功率为 淋真宥相应躺诗溢，这取畿擀熔体的直径o． 8．5k、Ⅳ的aO=激光器 。对于晶体生长来说，典 这釉发光束上面和下面部分也谍俸化l(图3a)· 型功率为 500W ，功率波动约 ±3 。激光器稳 相反，对ao激光束的吸收囔辕 簦 光束髓 定工作几小时，功率无需重调 较深地穿透材料。超样，越 直接通斌激光 激光束通过光束引导系统导 向拉制台 在 辐射熔化。熔融区略帮 鬻镌柬在熔体上竹高 那里通过分束器分成三束强度相同的光 每束 度悯 ≯ 、L 用_ 与熔 动 圈4 嗳啦系致 与室温下各种不同氧化钉 茸3 Nd-YAB晶体的生长情况．(a)用 00l激光