毕业论文 开题报告 计算机存储管理分区的分配算法及其实现.docVIP

本课题所涉及的问题在国内(外)的研究现状综述 在过去5年中，逻辑器件所发生的变化吸引了业界众多的眼球，诸如铜、低K电介质和应变硅等新材料的引入都确保了逻辑器件能够紧随发展潮流。在前不久于华盛顿召开的国际电子器件大会(IEDM)上，与会代表纷纷表示，目前存储器也在经历着一系列同样引人注目的材料和设计变化，范围从DRAM和闪存用的新型电介质，到每单元8晶体管的SRAM。 去年，芯片产业整体实现了7%的增长，这主要归功于NAND闪存的强劲销售。NAND单元体积小、造价低，早先生产DRAM的公司可以很容易地将DRAM制造工艺向NAND转移。但是随着NAND单元越做越小，它们越来越有可能与临近的单元发生相互干扰。另外，可靠性也是NAND面临的一个主要挑战：浮动栅很快就只需要大概1,000个电子来存储每位数据；如果在30纳米节点，则仅需要100个电子。在IEDM上，参加非易失存储器发展讨论会的代表几乎一致认为：2010年底以前，闪存业将迈进32纳米节点，届时，需要对浮动栅闪存进行重新审视。 英特尔闪存技术开发总监Albert Fazio表示，闪存一定会经历真正的结构变革，或许这会发生在22纳米节点。“业内很少有人能够认识到，与逻辑电路相比，闪存需要更少数量级的电子来存储数据。”他说。 “浮动栅越变越薄，随之引发的临近单元干扰问题需要高K多晶硅层间电介质来解决。”东芝公司的NAND工程经理Toshitake Yaegashi表示，“在东芝内部，我们认为可靠性问题不像临近单元耦合那么严重。” 三星的闪存工艺技术经理Jungdal Choi透露，三星已经研发出一种U型存储电容，并在50纳米设计规则下进行了测试。在35纳米节点，三星表示它将采用一系列的创新手法继续推动NAND闪存的发展。这些创新包括：从Tanos方法向Sonos型位单元转变、每单元多位(multibit-per-cell)技术、单元堆栈、高K介质、甚至“双成像模式”，最后一种方法是指采用补偿暴光技术重复光刻步骤，以实现更紧凑的设计规则。 Yaegashi表示，东芝认为利用Sonos型存储器很难实现多级单元架构。东芝有其它的打算，其中包括采用3维单元结构和新型介质材料。通过优化阈值电压分配并减少工艺导致的在浮动栅上的应力损失，东芝可能继续升级浮动栅方法，他说。 活跃在NOR闪存市场上的东芝、SanDisk(东芝的合作伙伴)、英特尔和Spansion等公司非常青睐多级单元(MLC)技术，并将此作为加倍芯片密度的一种低成本方法。三星仅在其最高密度的NAND器件中使用了MLC技术，这些器件主要瞄准音乐和视频存储应用。在这些应用中，偶尔的位丢失不会带来严重后果。 以色列的Saifun半导体公司描述了一种每单元4位数据的非易失存储器架构，该架构对可靠性给予了特别关注。迄今为止，Saifun已向7家公司授权了该技术，其中包括Macronix、富士通和Spansion(从AMD公司剥离出来的闪存公司)。 “很显然，由于临近浮动栅之间的耦合现象，完全恰当地调整闪存的浮动栅数目是不可能的。”Saifun的CEO Boaz Eitan表示，“我们相信，利用更为简单的ONO (氧-氮-氧)结构实现数据存储将为这个产业带来新的活力。” 2． 分区法有两种：固定分区法和可变分区法。 1．固定分区法分区的分配与回收 ② 地址变换： ③ 存储保护： ④ 关于虚存的实现：进程或作业所要求的内存容量受分区大小的限制，必须采用覆盖和交换技术来扩充内存，才能实现一维的虚拟空间。 2．动态分区法（可变分区法）基本思想： ② 分区的分配动态分区时的回收和拼接 ④ 地址变换：动态分区时大小不固定并且在对空闲区的拼接时要移动程序和数据，所以要采用动态地址重定位来进行地址变换。 ⑤ 内存保护：采用寄存器进行越界保护或者采用保护键法对分区的使用进行保护。 ⑥ 虚存的实现：进程或作业所要求的内存容量受分区大小的限制，必须采用覆盖和交换技术来扩充内存，才能实现一维的虚拟空间。 3．本课题是对操作系统的存储器的分配的简单算法。以及对其的一个实现，主要是实现可变的存储区的分配、回收技术。 可变分区存储管理方式必须解决的问题有3个： 1．分区分配中所用的数据结构 为了实现分区分配，系统中必须配置相应的数据结构，用来记录主存的使用情况，包括空闲分区的情况和使用分区的情况，为作业分配主存空间提供依据。为此，设置了两个表，即已分分区表和空闲分区表。 ① 已分分区表。记录主存中已分配作业分区的情况，包括分区序号、起始址、大小和状态（作业名）。 ② 空闲分区表。记录主存中空闲分区的情况，包括空闲分区序号、起始址和大小。为了便于处理，一般情况下空闲分区表中记录以地址递增的顺序排列。 因为已分分区表和空闲分区表中记录的个数是随着主存的分配和