Bi2Sr2CaCu2O8□IZn隧道结的制备和隧道谱研究.pdf

第五届全国超导薄腆和超导电子器件学术会议论文集 Bi2Sr2CaCu208+o/IlZn隧道结的制备和隧道谱 陶宏杰 李那雄 I般 赵柏侣赵忠资 (中国科学院物理研究所国家超导实脸室和中国科学院报聚态物理中心.北京 100080) [摘要】报道了用锌腆作对电极制各的高沮超导Bi,Sr,CaCuA,B(Bi2212)单晶/I/2n平面隧道 结的工艺及该结的隧道谱研究，给出了Bi2212的能旅和质除及它们随沮度的变化.发现超导 能晾蓦本遵从BCS沮度依赖关系，在Tc附近能陈不连续地过渡到反献，反除的最大幅值为能 陈的1.5-2倍.am的打开沮度可达室温。隧道谱还给出了结区Bi2212的TC的测f以及其的 序奋1t为d波对称的新证据. 关.甸:Bi,Sr,CaCW阮，单电子隧道结，隧道谱，能隙.质隙 1引言 众所周知，超导电子学主要是建筑在各种类型的Josephson器件的荃础之上的，不 过单电子隧道结在其中仍发挥重要作用。如各种准粒子注入器件就是利用单电子隧道 结来实现的.至于在超导隧道谱研究中单电子隧道结更是起着重要的作用。自从高温 超导体被发现以来，正如高温超导Josephson结一样，高温超导单电子隧道结的制备 也一直是一个挑战。在各种类型的单电子隧道结中(平面结、点接触、断裂结、STM 真空隧道)，平面结具有限定而可控制的几何尺寸，具有很好的热稳定性，因此最适合 电子学应用和变温隧道谱研究.由于平面结隧道结果是在宏观尺寸的结面积上平均的 的结果，因此具有好可重复性.本文着重报道了Bi2212单晶/自然势垒/Zn膜对电极 结的制备及其隧道谱研究。这种Bi2212/I/Zn隧道结很容易制备，其陇道谱不但给出 较典型的I-V曲线和结构清楚的隧道电导G(V,T)=dI(V,T)/dV1t，而且给出了结区 的超导转变温度Tc,超导能隙和质隙的侧11，此外还给出了Bi2212的序参t在k空 间存在节点，近而为d波对称的新证据. Z样品制备及实验测量 本研究所用的Bi2212单晶是用自助熔剂法定向结晶生长的.分析纯(99.9一以上) 的初始粉末Bi203.SrCO,.CaM和Cu0以原子比Bi:Sr:Ca:CuD2.4:2:1:2配比混合， 经充分研磨，放入杯状的多晶氧化铝增塌中，压实并以氧化铝板盖住柑锅.柑塌1于 马弗炉中，增锅口上水平温度梯度为12-180C/cm。典型的单晶尺寸为50800.1(mm). 生长出来的，未作任何退火处理的(as-grown)单晶的超导转变温度Tc在83-90K, 转变宽度为2-5K。为制备隧道结，将Bi2212单晶用胶带解理，解理面在最高放大倍 ·本文于2000年6月23日收到. 陶宏杰等 隧道结的制各和隧道谱 率可达 10oxo 的带CDC 的光学显微镜下检查，确保无缺欠和台阶。之后，用火棉胶 。〔ollodino)涂在解理面上，在中间留下一宽约0.加田的缝隙。晶体在室温下空气中 基砚21小时后，移入镀膜设备的真空室，用热蒸发法通过掩模板沉积约200咖厚，0.5咖 宽的垂直于火棉胶缝隙的锌膜条。制成的Bi2212八/nz结面积约为0.5劝.5(皿)’。我 们之所以选择zn作对电极，是因为对比以Pb、Au、Ag等，Bi2212/1/nz结给出的电 导曲线能隙结构更为尖锐和清楚。用银胶粘接测t引线，隧道谱是用四引线法，以典 型的单电子隧道谱仪 (电桥和Lock一in技术)测t的。样品陇道结的温度用502型控 温仪 (Lkaesbore)测t和控制。数据既可以用计算机采集也可以用x一y记录仪记录。 本文的数据均用x一y记录仪记录，再用数字化仪数字化的。关于晶体生长、样品制备 和实脸侧t请详见参考文献 ]1〔。 3实验结果 图1是对典型的as一盯。翻Bi2212单晶/1/nz隧道结在4.KZ下所侧得的卜V、d/lyd 和d盆1/d护曲线。卜V曲线显示出清趁的能 陈结构，其远离电压零点的斜率给出结电 0 刀 匆 阻，盼23n。隧道电导曲线 dl/yd一在能 晾电压处给出尖锐的准