EBPVD制备的硅膜性能研究.pdfVIP

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2018-01-14 发布于未知
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EBPVD制备的硅膜性能研究.pdf

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第15卷专辑2 中国有色金属学报 2005年10月 V01．15 2 TheChinese ofNonferrousMetals Oct． 2005 Special Journal 文章编号：1004—0609(2005)S2—0284一04 EB—PVD制备的硅膜性能① 韩杰才，周玉锋，张宇民，张剑寒，姚旺，韩媛媛 (哈尔滨工业大学复合材料与结构研究所，哈尔滨150080) 摘要：介绍了使用EB-PVD法制备的si膜性能，如膜一基结合强度、残余应力、孔隙率等。研究发现，只有当衬底温度在优化温度范围内时，膜一基系统才有优良的抗热震性及膜一基结合强度，硅膜晶体结构为柱状晶。衬底温度过高或过低都不利于膜一基系统性能的提高。但当温度比较高时，硅膜的孑L隙率可能下降，却会增加膜一基系统中的残余应力。对硅膜性能影响较大的因素还有衬底表面光洁度等。关键词：电子束物理气相沉积(EB-PVD)；硅膜；衬底；结合强度；残余应力 43 文献标识码：A 中图分类号：TB ofSi EB_PVD Propertiescoatingpreparedby HAN Jie—cai，ZHOU Yu—ming， Yu—feng，ZHANG ZHANG Jian-han，YAO Wang，HANYuan—yuan (Centerfor Materials，HarbinInstituteof 150080，China) Composite Technology，Harbin ofsilicon electronicbeam Abstract：The coatingpreparedby vapor properties physical theadhesion of to stressand ratio，etc．Itis introduced，includingstrengthcoatingsubstrate，residualporosity foundthat whenthesubstrate locatesinthe theexcellentthermal temperature optimization range only temperatqre shock and adhesion of tosubstratecouldbe the structureisCO— resistance strengthcoating crystal higher got，and lumnar or substrate willdoharmtothe of of crystal．Ultra—lowultra—high temperature promotionprope