EUV掩模板热变形及其对光刻性能影响研究.pdfVIP

2005年12月 第十三届全国电子束·离子束·光子柬学术年会 湖南·长沙 EUV掩模板热变形及其对光刻性能影响 周鹏飞”李艳秋2· (中国科学院电工研究所，北京100083) 1． 中国科学院研究生院 2．中国科学院电工研究所 摘要：极紫外光刻中掩模板热变形是不可忽略的。本文采用有限元方法，针对工业化生产条件(80 m wafer-l_，er-hour)计算掩模板热变形。抗蚀剂感光度为7J／em2时，x．y平面内最大变形为1．6nm，z 方向最大变形为0．27iml。掩模板热变形引起掩模图形偏移，最大偏移为1．6nm。经过曝光显影．对于 最大偏移0．45nm。 关键词：极紫外光刻；掩模板；热变形；抗蚀剂；CD；侧壁角度；图形偏移 1·引言 极紫外光刻(EUVL)目前已成为下一代光刻的领跑者，应用目标是45rim及其以下节点。不同于传 统光刻工艺，极紫外光刻采用反射式掩模板和光学系统，工作环境为真空。掩模板在曝光过程中受到 入射光照射，导致掩模板结构变形，掩模板热变形与入射到掩模板上的功率、衬底材料和边界条件有 关【11。掩模板热变形引起掩模板的图形偏移，经过曝光显影之后，影响抗蚀剂图形CD(特征尺寸)、侧壁 角度。引起抗蚀剂图形偏移。 本文采用有限元法建立模型，分析掩模板热变形。得到变形结果后，利用光刻性能仿真工具，得出 掩模板热变形对于光刻性能的影响。 图1掩模板结构图 一298- 2005年12月 第十三届全国电子束·离子束·光子束学术年套 湖南·长沙 2．变形分析 EUV掩模板主要由衬底、Mo／Si多层膜和吸收层三部分组成，图l是掩模板结构示意图。衬底材 料为微晶玻璃ULE glass，与传统的si衬底相比，它的热膨胀系数非常小．可以有效减小热变形田。衬 极紫外光的吸收率接近100％。假设图形区域内覆满吸收层，则图形区域100％的EUV光被吸收，在非 图形区域33％的EuV光被吸收。表1中列出了各种材料的属性1ii。 表1掩模板各种材料属性 掩模板上图形区域的大小为130ram× 表2产量及EUV系统参数 100mm，表2列出极紫外光刻系统参数131。本文采 用有限单元法建立模型．衬底采用三维实体单 产量mh)84 元，多层膜及吸收层采用二维壳单元。掩模板与 掩模板的反射率 底座接触热传导系数为150w／m2·K，底座温度始 镜子的反射率 终保持在环境温度20℃。掩模板表面存在热辐 放大倍率 射，假定环境为黑体，温度保持在20℃，相比于掩 图形区域高度(眦n) 模板和底座的热传导，热辐射的影响非常小”I。变 图形区域宽度(mm) 形分析时，假设掩模板底面与底座完全接触，即 扫描光束宽度(mm) 没有z方向的位移，而在x—y平面内则忽略摩擦 扫描速度(crru，s) 力的影响，可以自由移动。另外假设掩模板中心 点处x—y平面位移为零，这样其它各个位置的位 扫描前加速度(cm／s21 移反映其相对于中心点的位移。